[发明专利]一种用于晶圆外延生长的晶圆支撑杆装置、设备及方法

权利要求书

1.一种用于晶圆外延生长的晶圆支撑杆装置，其特征在于，所述晶圆支撑杆装置包括：晶圆支撑杆以及套筒组件；其中，

所述晶圆支撑杆与所述套筒组件相套接，且所述晶圆支撑杆沿所述套筒组件的轴向方向能够往复移动。

2.根据权利要求1所述的晶圆支撑杆装置，其特征在于，所述套筒组件包括套筒和套筒支架，且所述套筒与所述套筒支架的上端部连接，所述套筒支架的下端部与基座支撑架连接。

3.根据权利要求2所述的晶圆支撑杆装置，其特征在于，所述套筒的下端部设置有第一凸起结构，以与所述套筒支架上端部的第一凹孔相配合连接。

4.根据权利要求3所述的晶圆支撑杆装置，其特征在于，所述套筒支架的下端部设置有第二凸起结构，以与所述基座支撑架的第二凹孔相配合连接。

5.根据权利要求1所述的晶圆支撑杆装置，其特征在于，所述套筒的内径D1为4～4.5mm，外径D2为8～10mm，高度H为10～15mm。

6.根据权利要求1所述的晶圆支撑杆装置，其特征在于，所述晶圆支撑杆的直径D为3.7～3.9mm。

7.根据权利要求1所述的晶圆支撑杆装置，其特征在于，所述套筒的外表面覆盖有碳化硅薄膜，且所述套筒支架的材质为透明石英。

8.一种用于晶圆外延生长的设备，其特征在于，所述设备包括：

圆盘形基座，所述基座用于承载晶圆；

基座支撑架，所述基座支撑架用于支撑所述基座；

三组根据权利要求1至7任一项所述的晶圆支撑杆装置；

上部石英钟罩和下部石英钟罩，所述上部石英钟罩和所述下部石英钟罩一起围闭出容纳所述基座的反应腔室，其中，所述基座将所述反应腔室分隔成上反应腔室和下反应腔室，所述晶圆放置在所述上反应腔室中；

多个加热灯泡，所述多个加热灯泡设置在所述上部石英钟罩和下部石英钟罩的外围并用于透过上部石英钟罩和下部石英钟罩在所述反应腔室中提供用于外延生长的高温环境；

进气口，所述进气口用于向所述反应腔室中顺序地输送清洁气体和硅源气体；

排气口，所述排气口用于将所述清洁气体和所述硅源气体各自的反应尾气排出所述反应腔室。

9.一种用于晶圆外延生长的方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求8所述的设备，所述方法包括：

通过上升和下降晶圆支撑杆使得晶圆装载于基座中；

开启多个加热灯泡使反应腔室的温度升至1100℃～1150℃，并经由进气口将硅源气体输送到上反应腔室中以在所述晶圆表面生长一层外延层；

所述硅源气体从所述上反应腔室穿过所述晶圆的正面，并扩散至所述晶圆的背面以便于从反应腔室的间隙排出至下反应腔室中；

经由排气口将包括排出至所述下反应腔室的硅源气体的反应尾气排出所述反应腔室；

通过上升所述晶圆支撑杆将已完成外延沉积反应的晶圆从所述基座中卸载。