[发明专利]基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器

权利要求书

1.一种基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于，所述窄带通滤波器包括：

依次层叠的第一金属板、金属柱阵列及第二金属板；

所述金属柱阵列包括周围金属柱及缺陷金属柱；所述周围金属柱的两端分别与所述第一金属板及所述第二金属板相接触；所述周围金属柱呈行和列等间距排布；所述缺陷金属柱呈列排布；所述缺陷金属柱两侧均与所述周围金属柱相邻；所述缺陷金属柱与相邻的所述周围金属柱之间的间距与呈行和列等间距排布的两相邻所述周围金属柱之间的间距相等；

所述缺陷金属柱包括第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱，N≥2，且以所述第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱为缺陷金属柱周期依次呈列排布，相邻两个所述缺陷金属柱周期之间具有间隔，所述间隔为相邻两所述缺陷金属柱之间间距的两倍；

所述缺陷金属柱的高度小于所述周围金属柱的高度，所述缺陷金属柱的横截面积小于所述周围金属柱的横截面积。

2.根据权利要求1所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述金属柱阵列为方形阵列。

3.根据权利要求2所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述周围金属柱均为相同的金属柱，所述缺陷金属柱均为相同的金属柱。

4.根据权利要求3所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述周围金属柱的横截面形状与所述缺陷金属柱的横截面形状相同。

5.根据权利要求4所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述周围金属柱的横截面形状及所述缺陷金属柱的横截面形状均为四重对称图形。

6.根据权利要求5所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述四重对称图形为正方形、菱形或圆形。

7.根据权利要求6所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述四重对称图形为正方形，所述周围金属柱的高度为h，两相邻所述周围金属柱之间的间距为a，所述周围金属柱的边长为0.5a；所述缺陷金属柱的高度为0.9h，所述缺陷金属柱的边长为0.2a。

8.根据权利要求7所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述周围金属柱的高度为0.5mm，两相邻所述周围金属柱之间的间距为0.5mm，所述周围金属柱的边长为0.25mm，所述缺陷金属柱的高度为0.45mm，所述缺陷金属柱的边长为0.1mm。

9.根据权利要求1所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述金属柱阵列包括一列以上所述缺陷金属柱。

10.根据权利要求1所述的基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，其特征在于：所述第一金属板、第二金属板及金属柱阵列采用相同的材料，其中所述材料包括金金属、银金属、铜金属及铝金属中的一种。