[发明专利]单层锗基石墨烯低温后固化转移方法

权利要求书

1.一种单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，其特征在于，在通过CVD工艺生长的锗基石墨烯表面旋涂载体材料，并将三层复合结构以载体材料面朝上置于容器中，浇入未固化的PDMS与气泡法剥离得到的多层石墨烯的混合物进行低温后固化工艺，然后对三层复合结构上的锗片进行刻蚀处理并最后进行触发加热，触发单一尺度、单一失稳模式的石墨烯共型褶皱；

所述的低温后固化工艺，采用30℃加热48小时以上。

2.根据权利要求1所述的单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，其特征是，所述的旋涂，具体是采用匀胶机将PMMA溶液旋涂在CVD生长的单层锗基石墨烯表面作为载体材料；

所述的旋涂，其速度为1000-5000rpm，通过控制不同转速和PMMA浓度来控制PMMA层的厚度。

3.根据权利要求1所述的单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，其特征是，所述的低温后固化工艺，具体为：首先将PDMS与气泡法剥离得到的多层石墨烯以1000:1质量比例的混合后超声处理12小时，使PDMS与多层石墨烯混合均匀；然后向混合物中加入10:1比例的交联剂并充分搅拌混合均匀得到beGr-PDMS；再将混合均匀的beGr-PDMS缓慢浇在三层复合结构的载体材料上，在加热炉内以30℃低温加热48个小时，充分固化beGr-PDMS。

4.根据权利要求1所述的单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，其特征是，所述的刻蚀处理是指：采用HF和H₂O₂的混合刻蚀液进行2～3小时的刻蚀。

5.根据权利要求1所述的单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，其特征是，所述的混合刻蚀液为1:1:10的体积比例方式制备HF:H₂O₂:H₂O刻蚀溶液。

6.根据权利要求1所述的单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，其特征是，所述的刻蚀处理，在刻蚀锗片之前，需要剥离掉残余的beGr-PDMS胶，防止beGr-PDMS残胶阻碍刻蚀液刻蚀锗片。

7.根据权利要求1所述的单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，其特征是，所述的触发加热，加热到110℃以上，触发单一尺度、单一失稳模式的石墨烯共型褶皱。

8.一种基于权利要求1～7中任一所述方法制备得到的石墨烯共型褶皱结构，其特征在于，由下而上具体为石墨烯层、PMMA层和beGr-PDMS层，其中：PMMA层与beGr-PDMS层之间存在显明的界面层；

所述的界面层是指：由于未固化beGr-PDMS在低温固化过程中，分子链的运动得一定的抑制，使得PDMS与PMMA之间未出现梯度界面层，且界面在转移过程中始终保持无界面液滴状态，也保证了足够的界面粘附强度。