[发明专利]存储设备、包括其的电子系统以及操作其的方法在审
申请号: | 202111354523.2 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN114510196A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 李昺奇;黄珠荣;金俊熙;朴大山;全济谦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 设备 包括 电子 系统 以及 操作 方法 | ||
1.一种存储设备,包括:
非易失性存储器,包括第一存储器块和不同于第一存储器块的第二存储器块;和
存储器控制器,被配置为,
从主机接收对应于所述第一存储器块的第一写入模式命令和对应于所述第二存储器块的第二写入模式命令,
根据所述第一写入模式命令来控制所述第一存储器块执行第一写入操作,以及
根据所述第二写入模式命令来控制所述第二存储器块执行第二写入操作,所述第一写入操作和所述第二写入操作两者都是顺序写入操作。
2.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储器控制器不被配置为执行垃圾收集。
3.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储器控制器被配置为:
根据单级单元写入模式来控制所述第一存储器块执行所述第一写入操作;以及
根据多重级别单元写入模式来控制所述第二存储器块执行所述第二写入操作。
4.根据权利要求3所述的存储设备,其中,所述多重级别单元写入模式包括多级单元写入模式、三级单元写入模式或四级单元写入模式。
5.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储器控制器被配置为:
在接收到所述第一写入模式命令之后接收第一写入命令,所述第一写入命令包括对应于所述第一存储器块的临时写入模式数据;以及
根据所述第一写入命令和所述临时写入模式数据来控制所述第一存储器块执行第三写入操作。
6.根据权利要求5所述的存储设备,其中,所述存储器控制器被配置为:
在接收到所述第一写入命令之后,接收对应于所述第一存储器块的写入模式重置命令;以及
在接收到所述写入模式重置命令之后,根据所述第一写入模式命令来控制所述第一存储器块执行另一写入操作。
7.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储器控制器被配置为在与所述第一存储器块和所述第二存储器块相同的存储器块单元中执行损耗均衡操作。
8.根据权利要求1所述的存储设备,其中
所述第一存储器块基于所述第一写入模式命令来存储第一写入模式数据;以及
所述第二存储器块基于所述第二写入模式命令来存储第二写入模式数据。
9.根据权利要求8所述的存储设备,其中,所述存储器控制器被配置为:
从所述主机接收报告命令;以及
响应于接收到所述报告命令,控制所述非易失性存储器读取所述第一写入模式数据和所述第二写入模式数据。
10.根据权利要求8所述的存储设备,其中,所述存储器控制器被配置为:
在接收到所述第一写入模式命令之后接收第一写入命令,所述第一写入命令包括对应于所述第一存储器块的临时写入模式数据;以及
响应于接收到所述第一写入命令,控制所述第一存储器块存储所述第一写入模式数据和所述临时写入模式数据。
11.一种电子系统,包括:
非易失性存储器,包括第一存储器块和第二存储器块;
主机,包括具有第一区和第二区的文件系统,所述第一区对应于所述第一存储器块,并且所述第二区对应于所述第二存储器块,所述主机被配置为,
向存储器控制器提供对应于所述第一存储器块的第一写入模式命令,
向所述存储器控制器提供对应于所述第二存储器块的第二写入模式命令,
向所述存储器控制器提供对应于所述第一区的第一写入命令,以及
向所述存储器控制器提供对应于所述第二区的第二写入命令;和所述存储器控制器,被配置为,
根据所述第一写入命令和所述第一写入模式命令来控制所述第一存储器块执行第一写入操作,以及
根据所述第二写入命令和所述第二写入模式命令来控制所述第二存储器块执行第二写入操作。
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