[发明专利]具有纳米腔的集成生物感测器及其制作方法在审
申请号: | 202111354151.3 | 申请日: | 2015-08-05 |
公开(公告)号: | CN114203741A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 钟泽伟;周宗辉;林哲宏;吕绍炜;林晓珮 | 申请(专利权)人: | 亿明达股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01N21/64 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 纳米 集成 生物 感测器 及其 制作方法 | ||
本发明公开一种具有纳米腔的集成生物感测器及其制作方法,该生物感测器包含有一基底,其上设有一光感测区。在基底上设有一第一介电层、一扩散阻挡层、一第二介电层。第二介电层中设有一沟槽凹陷结构,其内设有一滤光材料层,被一上盖层封盖住。上盖层上设有一第一钝化层以及一纳米腔结构层,其中于纳米腔结构层中,设有一纳米腔。在纳米腔的侧壁及底部设有一第二钝化层。
本申请是中国发明专利申请(申请号:201510472789.5,申请日:2015年08月05日,发明名称:具有纳米腔的集成生物感测器及其制作方法)的分案申请。
技术领域
本发明涉及生物检测技术领域,特别是涉及一种具有纳米腔(nanocavity)的集成生物感测器及其制作方法。
背景技术
近年来,由于生物科技的进步,不断地研发出各种生物检测方法,其中用来检验特定基因中去氧核醣核酸(DNA)序列的技术更是蓬勃发展。所谓基因就是一段特定序列的DNA,以去氧核醣与磷酸酯为主要骨干,并含有四种碱基:腺嘌呤(A)、鸟粪嘌呤(G)、胸腺嘧啶(T)与胞嘧啶(C)。在两条单股DNA之间,由于化学结构的相互吻合,可通过A与T,G与C之间形成特定的氢键而相互吸引,构成双股螺旋状的DNA构造。
已知,DNA定序可以通过基因工程的方法,将待定序的基因序列切成小片段,并接上转接序列(adaptor),可选择加入微磁珠(micro-bead)并配合聚合酶链锁反应(polymerase chain reaction,PCR),以快速增幅待测基因片段,而后结合微制作工艺、光学侦测与自动控制技术以不同定序原理的方法,迅速解读大量的DNA序列。
除了DNA定序,生物感应器还可被应用在各式生物检测中,诸如细菌、病毒的检测、基因突变、遗传筛检、防疫、环境检测、污染控制、食品安全等等,也可用于基因缺陷的快速检测,甚至能借着检测的数据提供许多目前尚属未知的解答,例如,核酸多型性差异与各种疾病、并发症间的关系,进而研发出诊断与预防的方法。
然而,目前该技术领域仍需要一种改良的生物感应器,其需具备快速、准确、灵敏度高等优点,并具有耐酸碱、抗腐蚀的结构,其制作工艺还要能够与CMOS影像感测器(CIS)工艺相容,用于将信号处理电路单片集成,而达到降低成本、降低功耗、提高集成度的目的。
发明内容
为达上述目的,本发明特别提出了一种具有纳米腔的集成生物感测器及其制作方法,以解决现有技术的不足与缺点。
本发明一实施例提供一种具有纳米腔的集成生物感测器,包含有一基底,其上设有多个隔离结构,区隔出多个像素区域;一光感测区,设于各该像素区域中;一第一介电层,设于该基底上;一扩散阻挡层,设于该第一介电层上;一第二介电层,设于该扩散阻挡层上;一沟槽凹陷结构,设于该第二介电层中;一衬层,顺形地设于该沟槽凹陷结构内壁上;一滤光材料层,设于该沟槽凹陷结构内的该衬层上;一上盖层,直接接触到该滤光材料层的上表面,并封盖住该滤光材料层;一第一钝化层,设于该上盖层上;一纳米腔结构层,设于该第一钝化层上,其中于该滤光材料层正上方的该纳米腔结构层中,设有一纳米腔;以及一第二钝化层,设于该纳米腔的侧壁及底部。该滤光材料层阻挡特定波长的光源并能过滤掉噪声光线,仅让特定波长的光线通过,而到达该光感测区。
本发明一实施例提供一种制作具有纳米腔的集成生物感测器的方法,包含有提供一基底,其上设有多个隔离结构,区隔出多个像素区域;在各该像素区域中形成一光感测区;在该基底上沉积一第一介电层;在该第一介电层上沉积一扩散阻挡层;在该扩散阻挡层上沉积一第二介电层;在该第二介电层中形成一沟槽凹陷结构;顺形地在该沟槽凹陷结构内壁上沉积一衬层;在该衬层上形成一滤光材料层,填满该沟槽凹陷结构;沉积一上盖层,使该上盖层直接接触到该滤光材料层的上表面,并封盖住该滤光材料层;在该上盖层上形成一第一钝化层;在该第一钝化层上沉积一纳米腔结构层;在该滤光材料层正上方的该纳米腔结构层中,形成一纳米腔;以及在该纳米腔的侧壁及底部形成一第二钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的