[发明专利]一种氯化钛白氧化反应器的防疤装置及氧化反应器

权利要求书

1.一种氯化钛白氧化反应器的防疤装置，其特征在于，包含：

环形的外壁，所述外壁具有沿切向设置的气幕入口；以及

环形的内壁，所述内壁同轴地套设于所述外壁内并具有多孔结构，其中所述内壁与所述外壁之间限定气幕区以容纳气幕气体；

其中，所述气幕气体由所述外壁的所述气幕入口螺旋进入所述气幕区，并经所述内壁排出。

2.根据权利要求1所述的防疤装置，其特征在于，所述防疤装置进一步包含至少一个隔板，所述隔板将所述气幕区沿轴向方向分隔成多个气幕分区。

3.根据权利要求2所述的防疤装置，其特征在于，所述隔板之间的间距沿轴向方向逐渐增大。

4.根据权利要求3所述的防疤装置，其特征在于，每个所述气幕分区对应单独供气的气幕入口。

5.根据权利要求1所述的防疤装置，其特征在于，所述内壁由多孔陶瓷制成，所述多孔陶瓷中小孔的孔径为0.01mm～2mm，空隙率为40％～70％。

6.一种氯化钛白氧化反应器，其特征在于，包含权利要求1-5中任一项所述的防疤装置，其中，

所述反应器包含具有环形截面的侧壁，所述侧壁限定轴向延伸的氧气通道，沿所述侧壁周向设置有TiCl₄通道；

所述防疤装置同轴地嵌设于所述反应器的侧壁内，所述防疤装置的内壁的内表面与所述侧壁的内表面齐平；

其中，氧气沿所述氧气通道流动，经过所述TiCl₄通道与TiCl₄汇合后形成主气流，所述主气流随后流动通过所述防疤装置。

7.根据权利要求6所述的氯化钛白氧化反应器，其特征在于，所述防疤装置设置于沿轴向方向距离所述TiCl₄通道30mm～150mm处的反应强放热区。

8.根据权利要求7所述的氯化钛白氧化反应器，其特征在于，所述防疤装置的气幕区沿所述轴向方向的长度为20mm～300mm。

9.一种制备钛白粉的方法，其特征在于，所述方法使用权利要求6-8中任一项所述的氯化钛白氧化反应器，其中，防疤装置的多个隔板之间的间距沿主气流流动方向逐渐增大，进入多个气幕分区的气幕气体的流速沿所述主气流流动方向逐渐减小。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述气幕气体与所述主气流的动量比为1:100～1:400。