[发明专利]一种基于高频载波的可控硅驱动电路及方法和系统在审

专利信息
申请号: 202111347409.7 申请日: 2021-11-15
公开(公告)号: CN114124061A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 周宗杰;喻辉洁;刘浩阳 申请(专利权)人: 厦门市必易微电子技术有限公司
主分类号: H03K17/723 分类号: H03K17/723
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 向庆宁
地址: 361000 福建省厦门市软件*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 高频 载波 可控硅 驱动 电路 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种可控硅驱动电路,包括:

调制电路,基于调制信号输出受控振荡信号;

隔离式传递装置,具有第一端和第二端,隔离式传递装置的第一端接收受控振荡信号,隔离式传递装置的第一端和第二端之间电隔离,隔离式传递装置用于从第一端向第二端传递信号和能量;以及

解调电路,具有输入端和输出端,其中解调电路的输入端耦接隔离式传递装置的第二端,解调电路的输出端耦接可控硅的控制端用于驱动可控硅。

2.如权利要求1所述的可控硅驱动电路,其中调制电路包括振荡信号发生电路,当调制信号为第一状态时,振荡信号发生电路被使能,调制电路输出振荡信号;当调制信号为第二状态时,振荡信号发生电路被抑制,调制电路停止输出振荡信号。

3.如权利要求1所述的可控硅驱动电路,其中受控振荡信号在调制信号为第一逻辑状态时输出方波信号或正弦波信号,受控振荡信号在调制信号为第二逻辑状态时输出恒定电平。

4.如权利要求1所述的可控硅驱动电路,其中隔离式传递装置包括电容,其中电容的第一端耦接调制电路的输出端,电容的第二端耦接解调电路的输入端。

5.如权利要求4所述的可控硅驱动电路,其中解调电路包括:

第一二极管,第一二极管的阴极耦接电容的第二端,第一二极管的阳极耦接可控硅的控制端;以及

第二二极管,第二二极管的阳极耦接电容的第二端,第二二极管的阴极耦接可控硅的一端。

6.如权利要求4所述的可控硅驱动电路,其中解调电路包括:

第一二极管,第一二极管的阳极耦接电容的第二端,第一二极管的阴极耦接可控硅的控制端;以及

第二二极管,第二二极管的阴极耦接电容的第二端,第二二极管的阳极耦接可控硅的一端。

7.如权利要求1所述的可控硅驱动电路,其中隔离式传递装置包括:

第一电容,第一电容的第一端耦接调制电路的第一输出端,第一电容的第二端耦接解调电路的第一输入端;以及

第二电容,第二电容的第一端耦接调制电路的第二输出端,第二电容的第二端耦接解调电路的第二输入端。

8.如权利要求7所述的可控硅驱动电路,其中解调电路包括全桥整流电路,其中全桥整流电路的第一输入端耦接第一电容的第二端,全桥整流电路的第二输入端耦接第二电容的第二端,全桥整流电路的第一输出端耦接可控硅的控制端,全桥整流电路的第二输出端耦接可控硅的一端。

9.如权利要求1所述的可控硅驱动电路,其中隔离式传递装置包括第一线圈和与第一线圈电磁耦合的第二线圈,第一线圈和第二线圈之间相互隔离,其中第一线圈耦接调制电路的输出端,第二线圈耦接解调电路的输入端。

10.如权利要求9所述的可控硅驱动电路,其中解调电路包括全桥整流电路,其中全桥整流电路的第一输入端耦接第二线圈的第一端,全桥整流电路的第二输入端耦接第二线圈的第二端,全桥整流电路的第一输出端耦接可控硅的控制端,全桥整流电路的第二输出端耦接可控硅的一端。

11.如权利要求5或6所述的可控硅驱动电路,其中可控硅的一端通过偏置电压或电容耦接调制电路的参考地。

12.一种负载驱动系统,包括负载、可控硅、交流电源以及如权利要求1-10任一项所述的可控硅驱动电路。

13.一种用于驱动可控硅的方法,包括:

通过二进制振幅键控方式产生受控振荡信号;

基于受控振荡信号通过隔离方式同时将信号和能量从控制侧传递至可控硅的门极驱动侧;以及

将门极驱动侧的信号进行解调用于驱动可控硅。

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