[发明专利]一种光刻图案、金属图形连接体及其制备工艺

权利要求书

1.一种光刻图案的制备工艺，先在基础模板上通过刻蚀工艺形成特定的覆膜图形，然后再沉积氮化硅层，再通过干刻蚀工艺刻蚀氮化硅层形成基础图案，所述基础图案由下到上依次为金属层和非金属层，于非金属层的上端面形成多个覆膜图形，所述覆膜图形的两侧均形成氮化硅图形，覆膜图形及其两侧的氮化硅图形为一个单元体，其特征在于，还包括以下步骤：

S1、沉积覆膜层，使覆膜层覆盖单元体且留出相邻两个单元体之间的间隙，采用湿刻蚀工艺刻蚀该间隙对应的非金属层且不刻蚀该间隙对应的金属层；

S2、挥发去除覆膜层；

S3、在经过步骤S1刻蚀非金属层上形成的空缺中沉积铷形成铷层；

S4、先通过湿刻蚀工艺刻蚀未被氮化硅图形覆盖的非金属层、金属层，再通过干刻蚀去除氮化硅图形，再通过湿刻蚀工艺刻蚀剩余非金属层且不刻蚀金属层。

2.根据权利要求1所述的一种光刻图案的制备工艺，其特征在于，所述金属层包括氮化钛层，所述非金属层包括氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的一种光刻图案的制备工艺，其特征在于，所述金属层为氮化钛层且所述非金属层为氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的一种光刻图案的制备工艺，其特征在于，步骤S1中，相邻两个单元体之间的间隙数量大于等于1。

5.根据权利要求1所述的一种光刻图案的制备工艺，其特征在于，步骤S1中，相邻两个单元体之间的间隙的具体位置根据实际制备的光刻图案中需要连接的两个金属图形确定。

6.根据权利要求1所述的一种光刻图案的制备工艺，其特征在于，步骤S1中，当相邻两个单元体之间的间隙数量大于1时，通过不同间隙制备的各个铷层交错布置。

7.一种金属图形连接体，其特征在于，该金属图形连接体由下到上依次包括金属层和铷层，所述金属图形连接体用于连接两个金属图形，金属图形连接体中的金属层的长度小于金属图形。

8.一种光刻图案，其特征在于，包括多个金属图形，至少有一组相邻连个金属图形之间设置有如权利要求7所述的金属图形连接体。

9.采用权利要求1-6任一项所述制备工艺制备的金属图形连接体。

10.采用权利要求1-6任一项所述制备工艺制备的光刻图案。