[发明专利]一种含重原子的硼氮杂化合物及其制备方法、有机电致发光器件

说明书

本发明公开了一种含重原子的硼氮杂化合物及其制备方法、有机电致发光器件，所述含重原子的硼氮杂化合物的分子结构通式为本发明提供的含重原子Se、Te、Ge或Sn的硼氮杂化合物，能够有效加快硼氮杂多重共振结构的三线态到单线态的反向系间窜跃速率，缩短了其延迟荧光寿命，使其三线态激子得到有效利用，利用所述含重原子的硼氮杂化合物制备的有机电致发光器件同时具有窄带发色、高效率、低滚降和长寿命等优点。

技术领域

本发明涉及热活化延迟荧光材料领域，尤其涉及一种含重原子的硼氮杂化合物及其 有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光二极管(OLED)因其低成本、低功耗、高对比度、可弯曲宽视角等优点被广泛应用。自2012年Adachi等人报道了基于纯有机热活化延迟荧光(TADF)化合 物的高效电致发光器件，该类材料被广泛研究。由于其理论上高达100％的激子利用率， 以其作为发光层的有机电致发光器件已经达到与磷光材料相近的器件效率。

传统D-A型结构的TADF材料由于较大的结构弛豫而具有较宽的光谱(半峰宽大于50nm)，相应的OLED器件色纯度较低，这无法满足高色纯度显示的要求。2016年 Hatakeyama等人报道了一种基于硼/氮多重共振结构的新型TADF材料，该类材料具有量 子产率高和发射光谱窄等特征，用该类材料作为发光层制备的电致发光器件同时具有高 效率和高色纯度。

然而，目前报道的多重共振型TADF材料往往具有较长的延迟荧光寿命，这是由于其三线态到单线态的反向系间窜越速率较小所导致，这使得基于该类材料的电致发光器件在高亮度下激子利用率严重下降，具有非常严重的效率滚降。

因此，现有技术仍有待改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明提供一种含重原子的硼氮杂化合物及其有机电致 发光器件，旨在解决现有技术中多重共振型热活化延迟荧光材料效率滚降严重以及其有 机电致发光器件寿命较短的问题。

本发明的技术方案如下：

本发明提供了一种含重原子的硼氮杂化合物，其分子结构通式如下，

式(1)中，X₁、X₂分别相同或不同，独立选自CMe₂、CPh₂、O、S、Se、Te、Ge(R₁₆)(R₁₇)、 Sn(R₁₈)(R₁₉)中的任意一种，所述X₁、X₂至少有一个选自Se、Te、Ge(R₁₆)(R₁₇)、Sn(R₁₈)(R₁₉) 中的任意一种；R₁-R₁₅独立选自氢、氘、卤素、砜基、取代或未取代的C₁-C₁₀烷基、取 代或未取代的C₁-C₁₀烷氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₃-C₆₀杂 芳基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的二杂芳基氨基、取代或未取代的芳 基杂芳基氨基和带基团修饰的Se、Te、Ge及Sn中的任意一种；R₁₆-R₁₉分别相同或不同， 独立选自烷基或芳基；