[发明专利]确定新奇电子表面态存在的方法及其应用有效
| 申请号： | 202111341797.8 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114113226B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王长安;刘宁炀;李全同;任远;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02;G01R33/12 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陈莉娥 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 确定 新奇 电子 表面 存在 方法 及其 应用 | ||
1.确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，包括以下步骤：
测试原始样品的输运特性和磁阻特性；
将直径不大于Ar的惰性气体离子注入原始样品中，得到注入样品，其中，所述原始样品中含有金属元素；
测试所述注入样品的输运特性和磁阻特性，根据测试结果中输运特性呈现金属特性和磁阻特性在小场下存在尖峰判断原始样品存在新奇电子表面态，根据测试结果中输运特性呈现绝缘体特性和磁阻特性在小场下不存在尖峰中的至少一个测试结果判断原始样品不存在新奇电子表面态。
2.根据权利要求1所述的确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述原始样品和注入样品为单晶或外延薄膜。
3.根据权利要求2所述的确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述原始样品具有强自旋轨道耦合效应。
4.根据权利要求3所述的确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述原始样品为采用SrIrO3、NaOsO3、Sr2IrO4、Cd2Os2O7或Nd2Ir2O7制成的复杂氧化物薄膜。
5.根据权利要求1至4任一项所述的确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述注入样品中，惰性气体离子在沿所述注入样品的厚度方向呈高斯分布。
6.根据权利要求5所述的确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述惰性气体离子的注入剂量范围为8×1014A/cm2~3.5×1015A/cm2，其中，A为He、Ne或Ar。
7.根据权利要求6所述的确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述惰性气体离子He离子。
8.根据权利要求7所述的确定新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述原始样品为外延SrIrO3薄膜，且其厚度小于或等于50nm；
所述惰性气体离子的注入能量小于或等于5keV。
9.根据权利要求5所述的新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述惰性气体离子注入所述原始样品的注入角度与所述原始样品的法线不重合。
10.根据权利要求8所述的新奇电子表面态存在的方法，其特征在于，所述惰性气体离子注入所述原始样品的注入角度与所述原始样品的法线不重合。
11.权利要求1至10任一项确定新奇电子表面态存在的方法在具有强自旋轨道耦合的外延氧化物薄膜中的应用。
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