[发明专利]高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器

权利要求书

1.高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，包括位于PCB板（10）上的偶数组单管组（11），所述单管组（11）阵列设置，每组所述单管组（11）由多个单管（1）并联而成。

2.根据权利要求1所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，逆变器的DC母线的薄膜电容（3）、陶瓷电容（4）以及贴片电阻（5）位于相邻列单管组（11）之间。

3.根据权利要求2所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，所述薄膜电容（3）与所述陶瓷电容（4）分别位于所述PCB板（10）两面同一区域，且相对设置，所述贴片电阻（5）位于所述陶瓷电容（4）同一面且位于陶瓷电容（4）两侧。

4.根据权利要求3所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，所述薄膜电容（3）与两侧所述单管组（11）之间的距离相等。

5.根据权利要求3所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，逆变器的驱动电源变压器（6）位于所述陶瓷电容（4）同侧。

6.根据权利要求5所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，所述驱动电源变压器（6）为平面变压器。

7.根据权利要求1-6中任一所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，相邻列所述单管组（11）内的单管（1）以错开一个单管（1）的方式并排设置。

8.根据权利要求1-6中任一所述的高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，其特征在于，每个所述单管（1）对应设置有一个散热器（2）。