[发明专利]一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法在审
申请号: | 202111337239.4 | 申请日: | 2021-11-11 |
公开(公告)号: | CN114121681A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 杨冠南;左炎;黄钰森;崔成强;张昱 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/42;B82Y30/00 |
代理公司: | 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 | 代理人: | 冼柏恩 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 收缩 纳米 金属 互连 方法 | ||
1.一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)采用张紧装置,使得基板处于拉应力的状态;
(2)将纳米金属颗粒填充到基板的通孔中,直到纳米金属颗粒充满整个通孔;
(3)在可控气体下,对基板进行升温烧结;在烧结的过程中,通过张紧装置使得拉应力逐渐减小,基板逐渐收缩,对通孔中的纳米金属颗粒进行挤压;
(4)对填充完成的基板表面进行打磨或者抛光处理。
2.根据权利要求1所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,步骤(1)中,选择具有热收缩性质的材料或者热膨胀系数为负数的材料作为基板。
3.根据权利要求2所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,所述基板的材料为AM2O7、ZrV2O7、AM2O8、ZrW2O8、A2M3O12、Sc2W3O12、Mn3CuN、Mn3ZnN、Zn(CN)2、Cd(CN)2、环氧树脂、ABF、PI以及FR-4等任意一种。
4.根据权利要求2所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,所述基板的热收缩率是纳米金属颗粒的热收缩率的1~5倍。
5.根据权利要求2所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,在步骤(3)中,在烧结的过程中,通过控制烧结的温度改变基板与纳米金属颗粒的热收缩率。
6.根据权利要求4所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述张紧装置对基板施加拉应力,开始施加的拉应力为初始拉应力,所述初始拉应力τ0满足以下关系:
其中,E为基板材料的弹性模量,v为基板材料的泊松比,3表示材料的体积收缩率是线性收缩率的3倍,表示为基板的收缩体积与初始体积的比值。
7.根据权利要求4所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,所述基板的热收缩率,即基板的收缩体积与初始体积的比值满足以下关系:
其中,表示为基板的收缩体积与初始体积的比值。
8.根据权利要求1所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,在步骤(3)中,通过张紧装置使得拉应力逐渐减小,张紧装置施加的拉应力τ随时间变化的关系为:
其中,τ0为张紧装置施加的初始拉应力,t0为纳米金属颗粒填孔完成后固化的时间,t为烧结的时间。
9.根据权利要求1所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,所述可控气体包含空气、氮气、氢气、惰性气体或者氢气加惰性气体混合气氛中的其中一种。
10.根据权利要求1所述的一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法,其特征在于,在步骤(4)之后,还包括步骤(5):对基板进行图形电镀,使得基板上各个通孔互连,形成线路层,从而获得带有线路层的载板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学,未经广东工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111337239.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种挤压式纳米金属过孔互连工艺
- 下一篇:用于混凝土试块的存取方法和管理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造