[发明专利]极紫外光源中的目标扩展速率控制在审
| 申请号: | 202111336436.4 | 申请日: | 2016-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN113966061A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
| 发明(设计)人: | R·J·拉法克;D·J·里格斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李兴斌 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 紫外 光源 中的 目标 扩展 速率 控制 | ||
1.一种方法,包括:
提供目标材料,所述目标材料包括在被转换为等离子体时发射极紫外(EUV)光的成分;
朝向所述目标材料引导第一辐射束以向所述目标材料传递能量以修改所述目标材料的几何分布以形成经修改的目标;
朝向所述经修改的目标引导第二辐射束,所述第二辐射束将所述经修改的目标的至少一部分转换为发射EUV光的等离子体;
测量所述经修改的目标的尺寸;
分析所述经修改的目标的经测量的尺寸;以及
基于对所述经修改的目标的所述经测量的尺寸的分析,将从所述第一辐射束向所述目标材料传递的辐射曝光量控制在预定辐射曝光范围内。
2.根据权利要求1所述的方法,其中测量所述经修改的目标的尺寸包括使用阴影图技术。
3.根据权利要求1所述的方法,其中测量所述经修改的目标的尺寸包括:在所述第二辐射束将所述经修改的目标的至少一部分转换为等离子体之前测量所述经修改的目标的尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:测量所述目标材料的位置。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述经修改的目标具有盘形状,并且所述经修改的目标的盘形状的角度取向取决于所述第一辐射束撞击所述目标材料的位置。
6.根据权利要求1所述的方法,其中测量所述经修改的目标的尺寸包括:沿着与所述第二辐射束的方向垂直的方向测量所述经修改的目标的扩展。
7.一种装置,包括:
腔室,定义接收第一辐射束的初始目标位置和接收第二辐射束的目标位置;
目标材料传送系统,被配置为向所述初始目标位置提供目标材料,所述目标材料包括在被转换为等离子体时发射极紫外(EUV)光的材料;
光学转向系统,被配置为:
从光源朝向所述初始目标位置引导第一辐射束以向所述目标材料传递能量以修改所述目标材料的几何分布以形成经修改的目标,以及
从所述光源朝向所述目标位置引导第二辐射束以将所述经修改的目标的至少一部分转换为发射EUV光的等离子体;
测量系统,测量所述经修改的目标的尺寸;以及
控制系统,连接到所述目标材料传送系统、所述光源、所述光学转向系统和所述测量系统,其中所述控制系统被配置为:
从所述测量系统接收经测量的尺寸;
分析接收的经测量的尺寸;以及
向所述光源发送一个或多个信号,以基于对所述经测量的尺寸的分析,将从所述第一辐射束向所述目标材料传递的辐射曝光量。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述测量系统包括脉冲背光照明器和相机。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述测量系统采用阴影图技术。
10.根据权利要求7所述的装置,进一步包括另一测量系统,被配置为相对于目标位置来测量所述目标材料的位置。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述控制系统被配置为从所述另一测量系统接收经测量的位置;分析接收的经测量的位置;以及向所述光源发送一个或多个信号以基于对所述经测量的尺寸的分析和对所述经测量的位置的分析,控制从所述第一辐射束向所述目标材料传递的辐射曝光量。
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