[发明专利]一种纳米多级孔SAPO-11分子筛及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202111329641.8 申请日: 2021-11-10
公开(公告)号: CN114054082B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 冯刚;文志辉;江乐杰;叶闰平;张荣斌 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: B01J29/85 分类号: B01J29/85;B01J37/10;B01J35/10;C01B37/08;C01B39/54;B82Y40/00;C07C15/08;C07C15/02;C07C15/24;C07C2/86;C07C6/12
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 王焕巧
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 多级 sapo 11 分子筛 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种纳米多级孔SAPO-11分子筛,其特征在于:

(1)所述纳米多级孔SAPO-11分子筛的粒径为50~1000 nm;

(2)所述纳米多级孔SAPO-11分子筛含有微孔和介孔结构,比表面积为1340~1500 m2/g,总孔体积为1.525~1.764 cm3/g,介孔孔径为55~70 nm,且介孔体积/微孔体积比为1~5:1;

(3)所述纳米多级孔SAPO-11分子筛的Al/P比为0.03~30;

所述纳米多级孔SAPO-11分子筛采用水热法合成,其制备过程包括:将水、磷源、铝源、模板剂、表面活性剂、硅源作为原料按比例混合均匀,经陈化、晶化、加氟再晶化、洗涤、分离、干燥、煅烧,最终得到纳米多级孔SAPO-11分子筛;

所述磷源至少含有磷酸、磷酸钠、磷酸氢钠、磷酸钾、磷酸氢钾、磷酸铵和磷酸氢铵中的一种;所述铝源至少含有拟薄水铝石、异丙醇铝、偏铝酸钠、氢氧化铝、三氯化铝、氧化铝、硫酸铝和硝酸铝中的一种;所述模板剂至少含有二正丙胺、二异丙胺、乙二胺中的一种;所述表面活性剂至少含有异丙醇、乙二醇、聚乙烯醇和甘油中的一种;所述硅源至少含有硅溶胶、正硅酸甲酯、正硅酸丙酯、正硅酸四乙酯、白炭黑、高岭土、蒙脱土、硅酸钠、粉煤灰和水玻璃中的一种;氟源至少含有氢氟酸,氟化钠,氟化钾,氟化铝,氟化钙,氟化钡,氟化铯中的一种;

按水:磷源:铝源:氟源:表面活性剂:硅源:模板剂=(25~500):(0.1~3.0):(0.1~3.0):(0.05~3):(0.01~3):(0.1~3.5):(0.1~5.0)的摩尔比进行配制;

晶化过程采用分段晶化;按顺序依次加入:水、磷源、铝源、表面活性剂、硅源、模板剂,在温度为10 ~40 ℃下陈化0.1~24 h;在165~185 ℃预晶化1~120 h,晶化结束后取出并加入氟源搅拌均匀,再在50~120 ℃下晶化1~120 h;所述干燥的温度为20 ~300 ℃、时间为0.1~48 h;所述煅烧的温度为350~700 ℃、时间为1~20 h。

2.根据权利要求1所述的一种纳米多级孔SAPO-11分子筛,其特征在于:所述纳米多级孔SAPO-11分子筛的粒径为100~800 nm;所述纳米多级孔SAPO-11分子筛比表面积为1340~1450 m2/g,所述纳米多级孔SAPO-11分子筛总孔体积为1.56~1.725 cm3/g,介孔孔径为60~70 nm,介孔体积/微孔体积比为1.33~4.45。

3.根据权利要求1所述的纳米多级孔SAPO-11分子筛的制备方法,其特征在于:所述分子筛采用水热法合成,其制备过程包括将水、磷源、铝源、模板剂、表面活性剂、硅源作为原料按比例混合均匀,经陈化、晶化、加氟再晶化、洗涤、分离、干燥、煅烧,最终得到纳米多级孔SAPO-11分子筛;

所述磷源至少含有磷酸、磷酸钠、磷酸氢钠、磷酸钾、磷酸氢钾、磷酸铵和磷酸氢铵中的一种;所述铝源至少含有拟薄水铝石、异丙醇铝、偏铝酸钠、氢氧化铝、三氯化铝、氧化铝、硫酸铝和硝酸铝中的一种;所述模板剂至少含有二正丙胺、二异丙胺、乙二胺中的一种;所述表面活性剂至少含有异丙醇、乙二醇、聚乙烯醇和甘油中的一种;所述硅源至少含有硅溶胶、正硅酸甲酯、正硅酸丙酯、正硅酸四乙酯、白炭黑、高岭土、蒙脱土、硅酸钠、粉煤灰和水玻璃中的一种;氟源至少含有氢氟酸,氟化钠,氟化钾,氟化铝,氟化钙,氟化钡,氟化铯中的一种;

按水:磷源:铝源:氟源:表面活性剂:硅源:模板剂=(25~500):(0.1~3.0):(0.1~3.0):(0.05~3):(0.01~3):(0.1~3.5):(0.1~5.0)的摩尔比进行配制;

晶化过程采用分段晶化;按顺序依次加入:水、磷源、铝源、表面活性剂、硅源、模板剂,在温度为10 ~40 ℃下陈化0.1~24 h;在165~185 ℃预晶化1~120 h,晶化结束后取出并加入氟源搅拌均匀,再在50~120 ℃下晶化1~120 h;所述干燥的温度为20 ~300 ℃、时间为0.1~48 h;所述煅烧的温度为350~700 ℃、时间为1~20 h。

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