[发明专利]一种降低硅片表面金属的清洗工艺

权利要求书

1.一种降低硅片表面金属的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将抛光硅片运载至最终清洗剂上载处待料；

S2、设定最终清洗机的药液浓度比；温度设定分别为HF槽温度设定为常温，SC-1槽温度设定为60℃，SC-2槽温度设定为55℃；

S3、开启最终清洗机的臭氧发生装置；

S4、将最终清洗机的超声调节为:900±6W；

S5、将最终清洗机慢提拉槽的温度设定为常温；

S6、保证最终清洗的FFU设置和排风设置的协调性，将风压方向调整为由机体向外排除的状态，保证清洗机的内部环境；

S7、工艺调节完毕，再次对设备进行点检，保证无异常后开始加工；

S8、清洗完毕后，出厂片盒装载，用干车拉载产品至ICP-MS金属测试仪范围内，等待金属检验。

2.根据权利要求1所述的降低硅片表面金属的清洗工艺，其特征在于：所述抛光硅片的直径为200mm，加工厚度为650um-850um。

3.根据权利要求1所述的降低硅片表面金属的清洗工艺，其特征在于：HF槽的药液浓度比为HF：H₂O＝1:200。

4.根据权利要求1所述的降低硅片表面金属的清洗工艺，其特征在于：SC-1槽的药液浓度比为NH₄OH：H₂O₂：H₂O＝1：2：30。

5.根据权利要求1所述的降低硅片表面金属的清洗工艺，其特征在于：SC-2槽的药液浓度比为HCL：H₂O₂：H₂O＝3：4:300。

6.根据权利要求1所述的降低硅片表面金属的清洗工艺，其特征在于：所述药液均使用UPSS级别药液。

7.根据权利要求1所述的降低硅片表面金属的清洗工艺，其特征在于：设定臭氧浓度为30ppm。