[发明专利]一种用于半导体材料的金属离子清洗剂

权利要求书

1.一种用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，所述金属离子清洗剂包括酸性A洗液、中性洗液和酸性B洗液，按质量体积百分比计，其中：

酸性A洗液由以下物质组成：氟化铵3.75％-4.35％、氟硅酸1.5％-2.1％、硫酸3-4.5％、H-95 1.2％-2.4％，余量为去离子水；

中性洗液由以下物质组成：丙酮2％-3％、丙三醇1.6％-2.8％、二甘醇3.6％-5％、丙酮缩甘油4.2％-5.6％、二乙二醇单叔丁基醚3.4-4.4％，余量为去离子水；

酸性B洗液由以下物质组成：盐酸2.2-4.2％、双氧水2.8-4％、LFG441 4-4.8％，余量为去离子水。

2.根据权利要求1所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，所述金属离子清洗剂包括酸性A洗液、中性洗液和酸性B洗液，按质量体积百分比计，其中：

酸性A洗液由以下物质组成：氟化铵3.75％-4.2、氟硅酸1.6％-2％、硫酸3.2％-3.5％、H-95 1.2％-2％，余量为去离子水；

中性洗液由以下物质组成：丙酮2％-2.5％、丙三醇2％-2.4％、二甘醇3.6％-4.8％、丙酮缩甘油4.2％-5％、二乙二醇单叔丁基醚3.4％-4.4％，余量为去离子水；

酸性B洗液由以下物质组成：盐酸2.4％-3.7％、双氧水3％-3.5％、LFG4414％-4.8％，余量为去离子水。

3.根据权利要求1所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，金属离子具体为：Al、Sb、As、Ba、Be、Bi、B、Cd、Ca、Cr、Co、Cu、Ga、Ge、Fe、Pb、Li、Mg、Mn、Mo、Ni、K、Na、Sr、Sn、Ti、W、V、Zn、Zr。

4.根据权利要求1-3任一项所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，所述金属离子清洗剂的使用方法具体为：

将半导体材料用酸性A洗液浸泡清洗，清洗时间15-20分钟，清洗后去离子水冲洗；接着用中性洗液浸泡清洗，清洗时间15-20分钟，清洗后去离子水冲洗；最后放入酸性B洗液中浸泡清洗，清洗时间15-20分钟，清洗后用去离子水冲洗干净即可。

5.根据权利要求4所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，金属离子清洗剂的使用方法中，酸性A洗液浸泡清洗和酸性B洗液浸泡清洗为室温浸泡清洗；中性洗液时为用振动设备浸泡清洗，温度控制在35-50℃。

6.根据权利要求5所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，所述振动设备为超声波设备。

7.根据权利要求4所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，金属离子清洗剂的使用方法中，还包括将半导体材料先脱脂清洗处理。

8.根据权利要求1所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂，其特征在于，所述半导体材料为硅材料、石英材料或陶瓷材料。

9.根据权利要求1-8任一项所述的用于半导体材料的金属离子清洗剂在半导体材料加工中的应用。