[发明专利]一种利用太阳能在导电基底上直接沉积回收金属铋的方法

权利要求书

1.一种利用太阳能在导电基底上直接沉积回收金属铋的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)于“工”形电解槽装置上层的阳极室中加入KOH溶液，下层的阴极室中加入酸化的Bi(NO₃)₃溶液；

2)将BiVO₄光电极作为阳极置于阳极室中，将导电基底作为阴极置于阴极室中，用导线将BiVO₄光电极和导电基底连接；

3)用太阳光直接照射BiVO₄光电极30分钟。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述KOH溶液的浓度为1mol/L。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸化的Bi(NO₃)₃溶液的制备方法是：将Bi(NO₃)₃·5H₂O溶解于体积比为浓硝酸:水＝1.1:24的酸性水溶液中，并搅拌至澄清，得酸化的浓度为0.25mol/L的Bi(NO₃)₃溶液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述BiVO₄光电极的制备方法，包括如下步骤：将KI与Bi(NO₃)₃·5H₂O加入去离子水中，搅拌均匀，调节所得混合溶液的pH至1.5～2.0后，逐滴加入对苯醌的乙醇溶液，混合均匀后得电解液。以导电玻璃FTO作为工作电极，以Ag/AgCl为参比电极，铂丝为对电极，在-0.1～-0.15V的偏压下沉积3～5分钟，在工作电极的导电玻璃FTO上形成BiOI层；将乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液滴加到形成的BiOI层上，随后在马弗炉中以350～550℃煅烧2h，将BiOI转化为BiVO₄，冷却至室温后，浸入NaOH溶液中除去过量的V₂O₅，最后用去离子水冲洗，干燥，得表面覆有BiVO₄薄膜的BiVO₄光电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上层的阳极室和下层的阴极室之间的连接管道底部设有质子膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，太阳光强度为100mW·cm^-2。