[发明专利]一种DRAM测试系统在审

专利信息
申请号: 202111323478.4 申请日: 2021-11-10
公开(公告)号: CN114121136A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 曹端平;刘源恒;张健;李明伟;许小锋 申请(专利权)人: 超存极光(上海)半导体有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 上海锡域专利代理事务所(普通合伙) 31371 代理人: 肖小红
地址: 200120 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 dram 测试 系统
【说明书】:

发明公开了一种DRAM测试系统,包括服务器,所述服务器通过路由器连接有若干个测试设备,每个所述测试设备的外部均设置有主三色灯和若干个待测内存插槽,每个所述待测内存插槽的一侧均设置有内存指示三色灯,每个所述测试设备的内部均设置有CPU和程序运行内存;所述路由器为有线或无线;每个所述测试设备的若干个待测内存插槽组成待测内存,所述待测内存和程序运行内存均通过系统总线连接至CPU,每个所述测试设备的主三色灯和内存指示三色灯均电性连接至CPU。本发明将待测内存和程序运行内存分开,解决存在缺陷内存的测试结果不确定的问题;测试系统增加了服务器,解决了测试程序、程序参数等更新、测试日志、程序日志搜集等问题。

技术领域

本发明涉及DRAM测试系统技术领域,具体为一种DRAM测试系统。

背景技术

现有DRAM测试系统的测试程序一般运行在待测内存上,即待测内存和程序运行内存为一体式,因而存在缺陷内存的测试结果不确定的问题;此外,现有DRAM测试系统没有专门的服务器,因而存在测试程序、程序参数等更新、测试日志、程序日志搜集等问题,实际测试使用时不够方便。

基于此,本发明设计了一种DRAM测试系统。

发明内容

本发明的目的在于提供一种DRAM测试系统,以解决背景技术中提出的现有DRAM测试系统的测试程序一般运行在待测内存上,即待测内存和程序运行内存为一体式,因而存在缺陷内存的测试结果不确定的问题;此外,现有DRAM测试系统没有专门的服务器,因而存在测试程序、程序参数等更新、测试日志、程序日志搜集等问题,实际测试使用时不够方便的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种DRAM测试系统,包括服务器,所述服务器通过路由器连接有若干个测试设备,每个所述测试设备的外部均设置有主三色灯和若干个待测内存插槽,每个所述待测内存插槽的一侧均设置有内存指示三色灯,每个所述测试设备的内部均设置有CPU和程序运行内存。

作为本发明的进一步方案,所述路由器为有线或无线。

作为本发明的进一步方案,每个所述测试设备的若干个待测内存插槽组成待测内存,所述待测内存和程序运行内存均通过系统总线连接至CPU,每个所述测试设备的主三色灯和内存指示三色灯均电性连接至CPU。

作为本发明的进一步方案,每个所述测试设备上主三色灯的三色分别表示“异常”、“测试中”和“测试结束”三种状态。

作为本发明的进一步方案,每个所述待测内存插槽的一侧的内存指示三色灯的三色分别表示“异常”、“测试通过”和“测试失败”三种状态。

作为本发明的进一步方案,所述程序运行内存为DRAM或SRAM。

与现有技术相比,本发明的有益效果为:

(1)、本发明将待测内存和程序运行内存分开,解决存在缺陷内存的测试结果不确定的问题;

(2)、本发明的测试系统增加了服务器,若干个测试设备使用有线或者无线通过路由器与服务器连接,解决测试程序,程序参数等更新,测试日志,程序日志搜集等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种DRAM测试系统的整体结构原理示意图;

图2为本发明一种DRAM测试系统的测试设备外部结构示意图;

图3为本发明一种DRAM测试系统的测试设备内部结构示意图。

具体实施方式

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