[发明专利]一种环形硅部件端面切削方法

说明书

本发明涉及硅部件加工技术领域，尤其涉及一种环形硅部件端面切削方法。一种环形硅部件端面切削方法，包括如下步骤；S1、盘铣刀走刀至环形硅部件上方的切削起点；S2、盘铣刀按照设定的切削参数采用螺旋切削方式进刀至目标切削深度的起始位置；S3、到达目标切削深度的起始位置后，盘铣刀采用水平切削方式切削环形硅部件的端面至目标切削深度的终点位置，目标切削深度的终点位置与目标切削深度的起始位置重合；S4、当切削完毕时，盘铣刀采用垂直加工面的方式直接退刀。从而消除了环形硅部件端面在加工过程中的进退刀痕迹，提高了环形硅部件端面的加工精度及硅部件加工的成品率，降低了加工成本。

技术领域

本发明涉及硅部件加工技术领域，尤其涉及一种环形硅部件端面切削方法。

背景技术

在环形硅部件端面的加工的过程中，经常会留下进退刀痕迹，进退刀痕迹产生的主要原因是刀具切入工件时和刀具切出工件时所产生的，这种痕迹难以完全消除，直接影响工件的表面质量，但在半导体级别的硅部件产品的要求中，对表面纹理及痕迹的要求较高，因加工痕迹的产生而使合格率降低的问题愈发明显，现有的为了消除这些痕迹需在后段增加相应的工序，但同时增加了生产成本，且由于人工干预的次数增多，产生缺陷的风险提高，在加工效率上也受到一定局限。

亟需一种用于消除环形硅部件端面上进退刀痕迹的切削方法。

发明内容

(一)要解决的技术问题

鉴于现有技术的上述缺点、不足，本发明提供一种环形硅部件端面切削方法，消除了环形硅部件端面的进退刀痕迹进而提高了环形硅部件端面的加工精度。

(二)技术方案

为了达到上述目的，本发明采用的主要技术方案包括：

本发明提供了一种环形硅部件端面切削方法，包括如下步骤；

S1、盘铣刀走刀至环形硅部件上方的切削起点；

S2、盘铣刀按照设定的切削参数采用螺旋切削方式进刀至目标切削深度的起始位置；

S3、到达目标切削深度的起始位置后，盘铣刀采用水平切削方式切削环形硅部件的端面至目标切削深度的终点位置，目标切削深度的终点位置与目标切削深度的起始位置重合；

S4、当切削完毕时，盘铣刀采用垂直加工面的方式直接退刀。

优选地，在步骤S2中，盘铣刀螺旋切削的切削路径与水平面的夹角为1.5°-3°。

优选地，在步骤S1中，当盘铣刀位于切削起点时，盘铣刀与环形硅部件的待加工面的间距为0.2mm-0.3mm。

优选地，在步骤S4中，盘铣刀退刀时，盘铣刀与已切削的待加工面的重叠量为盘铣刀直径的120％-130％。

优选地，盘铣刀的主轴转速为2000r/min-3500r/min；

盘铣刀的切削深度为0.1mm-0.15mm；

盘铣刀的进给速度为300mm/min-500mm/min。

优选地，步骤S1中盘铣刀包括铣刀本体；铣刀本体为回转体结构，，铣刀本体的轴线与环形硅部件的端面垂直铣刀本体的底端设有切削部，切削部与铣刀本体的底端相匹配，切削部相对环形硅部件的端面设置并对环形硅部件的端面进行切削；切削部的底面及外周壁均设有金刚石颗粒；铣刀本体上设有镂空结构。

优选地，铣刀本体包括安装部、支撑部及连接安装部及支撑部的连接部；切削部设置于支撑部的底端，切削部相对环形硅部件的端面设置；镂空结构的构造为等间距设置在连接部上的通孔。

优选地，切削部为环形结构，切削部上间隔设有多个排削槽。

优选地，切削部的外圆周的直径小于支撑部外圆周的直径。