[发明专利]一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法及系统

权利要求书

1.一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法，其特征在于，包括：

获取待解析存储器芯片的单粒子效应多位翻转数据；

根据获取的单粒子效应多位翻转数据，判定子字节的结构；

根据子字节的结构，判定待解析存储器芯片的交错类型。

2.如权利要求1所述的一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法，其特征在于，所述获取待解析存储器芯片的单粒子效应多位翻转数据，包括：

将预先设定的数据结构写入待解析存储器芯片；

对待解析存储器芯片进行辐照攻击；

按照逻辑地址读出待解析存储器芯片存储的单粒子效应多位翻转数据；

重复上述步骤，直至获得在各写入数据状态下的预先设定数量的单粒子效应多位翻转数据。

3.如权利要求1所述的一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法，其特征在于，所述根据获取的单粒子效应多位翻转数据，判定子字节的结构，包括：

根据获取的单粒子效应多位翻转数据，判定子字节的边界；

根据获取的单粒子效应多位翻转数据和判定的子字节的边界，判定子字节的长度。

4.如权利要求3所述的一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法，其特征在于，所述根据获取的单粒子效应多位翻转数据，判定子字节的边界，包括：

根据获取的单粒子效应多位翻转数据，筛选单个离子在待解析存储器芯片中诱发的仅包括两位分属于不同逻辑字的单粒子效应多位翻转数据MCU；

确定所有包括指定编号比特的MCU，计算MCU内两个比特所在字逻辑地址的差值，作为MCU间距；

统计指定编号比特的所有MCU间距的数目；

若MCU间距数目大于1，则判定该指定编号的比特处于子字节的边界位置。

5.如权利要求4所述的一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法，其特征在于，所述根据获取的单粒子效应多位翻转数据和判定的子字节的边界，判定子字节的长度，包括：

根据获取的单粒子效应多位翻转数据，筛选单个离子在待解析存储器芯片中诱发的仅包括两位同属于一个逻辑字的单粒子效应多位翻转数据MBU；

确定所有包括指定编号的比特的MBU；

统计与指定比特属于同一MBU事件的所有比特位；

将任意两个边界比特位通过MBU事件得出的相邻关系依次串联为一列或一行，构成一个子字节，子字节的长度为其所包括比特位的个数；或者，根据对某一边界比特找出的相邻比特来自于不同的逻辑字这一条件，直接确定该比特为一个独立的子字节，其长度为1。

6.如权利要求1所述的一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法，其特征在于，所述根据子字节的结构，判定待解析存储器芯片的交错类型，包括：

若子字节的长度等于待解析存储器芯片逻辑字的长度，则待解析存储器芯片的位图为非交错结构；

若子字节的长度小于解析存储器芯片逻辑字的长度，则待解析存储器芯片的位图为交错结构。

7.如权利要求6所述的一种基于单粒子效应的存储器位图解析方法，其特征在于，所述根据子字节的结构，判定待解析存储器芯片的交错类型，还包括：

若子字节的长度大于1，则待解析存储器芯片的位图为比特交错结构；

若子字节的长度等于1，则待解析存储器芯片的位图为位交错结构。

8.一种基于单粒子效应的存储器位图解析系统，其特征在于，包括：

数据获取模块，用于获取待解析存储器芯片的单粒子效应多位翻转数据；

子字节长度判定模块，用于根据获取的单粒子效应多位翻转数据，判定子字节的结构；

交错类型判定模块，用于根据子字节的结构，判定待解析存储器芯片的交错类型。

9.一种处理设备，其特征在于，包括计算机程序指令，其中，所述计算机程序指令被处理设备执行时用于实现权利要求1-7中任一项所述的基于单粒子效应的存储器位图解析方法对应的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令，其中，所述计算机程序指令被处理器执行时用于实现权利要求1-7中任一项所述的基于单粒子效应的存储器位图解析方法对应的步骤。