[发明专利]一种基于二维钙钛矿的紫外光电探测器在审

专利信息
申请号: 202111317797.4 申请日: 2021-11-09
公开(公告)号: CN114050218A 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 吴存存;韩佳衡;郑士建;刘彩池 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 二维 钙钛矿 紫外 光电 探测器
【权利要求书】:

1.一种二维钙钛矿材料制备的光电探测器,其特征为该光电探测器从下到上依次为透明导电玻璃衬底、空穴传输层、二维钙钛矿活性层、电子传输层、空穴阻挡层、防腐蚀金属层和对电极金属;

所述钙钛矿活性层为二维钙钛矿材料,其通式为(A)2(B)n-1PbnCl3n+1,A位阳离子是PMA+(C6H5CH2NH3+)、PEA+(C6H5(CH2)2NH3+)、BA+(CH3(CH2)3NH3+)、5AVA+(HOOC(CH2)4NH3+)、3APA+(H00C(CH2)2NH3+)、CH3CH2CH2NH3+、CH(CH3)2CH2NH3+、C(CH3)3NH3+、CH3(CH2)4NH3+、CH3(CH2)11NH3+);B位阳离子是MA+(CH3NH3+)、FA+(NH2CH=NH2+)或Cs+

n值为1-60。

2.如权利要求1所述的二维钙钛矿材料制备的光电探测器,其特征为所述的衬底优选为ITO导电玻璃,ITO的电阻5~30Ω;

所述的对电极金属为金、银、铜或铝;

所述的防腐蚀金属为铋或铬。

3.如权利要求1所述的二维钙钛矿材料制备的光电探测器,其特征为所述的空穴阻挡层的厚度为1-50nm、电子传输层的厚度为5-100nm、钙钛矿活性层的厚度为100-500nm、空穴传输层的厚度为5-100nm、防腐蚀层厚度为1-10nm。

4.如权利要求1所述的二维钙钛矿材料制备的光电探测器,其特征为所述的空穴传输层为2,2',7,7'-四(二苯基氨基)-9,9'-螺双芴(Spiro)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、聚-3己基噻吩(P3HT)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、三氧化钼、氧化镍、碘化亚铜、硫氰酸亚铜、钛箐铜、氧化铬中的至少一种;

所述电子传输层为[6,6]-苯基C61丁酸甲酯(PCBM),碳60(C60),氧化锌纳米颗粒,二氧化锡纳米颗粒中的至少一种;

所述空穴阻挡层为聚乙烯亚胺(PEI)、Cr2OX、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉(BCP)、聚[(9,9-二(3'-(N,N-二甲氨基)丙基)芴基-2,7-二基)-alt-[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)(PFN)中的一种。

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