[发明专利]一种磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器

权利要求书

1.一种磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，包括磁致伸缩贴片(1)、永磁体贴片(2)、金属线圈(3)、母排金属片(4)、压电薄膜(5)及硅片(6)，所述压电薄膜(5)附着在硅片(6)的一端上，构成用来反射声表面波的反射栅；所述磁致伸缩贴片(1)附着在硅片(6)的另一端上，通过磁致伸缩贴片(1)的磁致伸缩效应产生应变波；所述永磁体贴片(2)附着在磁致伸缩贴片(1)上，所述金属线圈(3)缠绕在磁致伸缩贴片(1)周围。

2.根据权利要求1所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，附着在所述硅片(6)表面的磁致伸缩声贴片(1)以栅结构等距排列，构成阵列。

3.根据权利要求2所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述压电薄膜(5)为多栅结构，所述压电薄膜(5)的排列与所述磁致伸缩贴片(1)方式相同、与所述磁致伸缩贴片(1)的栅宽相同，构成反射声表面波的反射栅。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述金属线圈(3)由金属导线紧贴于磁致伸缩贴片(1)缠绕形成，在通交流电的条件下，为所述磁致伸缩贴片(1)提供驱动磁场。

5.根据权利要求4所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，相邻两个金属线圈(3)的缠绕方向不同，按照正旋反旋交替缠绕，用来制造同时刻下产生不同磁场方向的效果。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述母排金属片(4)与金属线圈(3)的导线末端连接，用来为所述金属线圈(3)提供交变电压。

7.根据权利要求6所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述母排金属片(4)为两条，分别为电压输入正负极，对金属线圈(3)提供交变电压；输入交变电压后，使所述金属线圈(3)获得电流，进而产生驱动磁场，作用于磁致伸缩贴片(1)。

8.根据权利要求1-3中任意一项所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述磁致伸缩贴片(1)的厚度为0.1-0.5mm，宽度为0.5-0.9mm，长度为8-12mm。

9.根据权利要求1-3中任意一项所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述磁致伸缩贴片(1)的材料为铁镓合金。

10.根据权利要求1-3中任意一项所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述磁致伸缩贴片(1)的磁致伸缩极化方向垂直于硅片(6)平面。

11.根据权利要求1-3中任意一项所述的磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器，其特征在于，所述永磁体贴片(2)选用钕铁硼磁体，与磁致伸缩贴片(1)环氧胶耦合，用来为磁致伸缩贴片(1)提供预磁场。