[发明专利]键合技术的键合能测试方法在审
申请号: | 202111314371.3 | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN114252329A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 余汇宇;刘武 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G01N3/08 | 分类号: | G01N3/08;H01L21/66 |
代理公司: | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人: | 张琦 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 技术 键合能 测试 方法 | ||
本申请实施例公开了键合技术的键合能测试方法,包括如下步骤:提供键合样品,键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部,第一键合部包括相背的第一表面和第二表面,第二键合部位于第二表面的中部;对键合样品施加压力:在第一表面向第一键合部施加第一压力;同时,在第二表面或者在第一键合部的周侧面向第一键合部施加多个第二压力;记录第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时,对应的第一压力与第二压力;根据裂纹的长度、第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的第一压力以及第二压力,计算键合能;通过控制第一压力与第二压力的大小可以降低键合样品破碎的风险,进而为晶圆的质量提供可靠保障。
技术领域
本申请涉及半导体技术的领域,具体而言,涉及一种键合技术的键合能测试方法。
背景技术
在相关的技术领域中,将两个晶圆相互键合的晶圆键合技术是一项关键技术。其中,为了评估晶圆的界面键合强度,需要对表征界面键合强度的晶圆界面键合能进行量化评估。
目前,在测试晶圆界面键合能的过程中,一般采用插刀式的双悬臂梁法(doublecantileverbeam,DCB)进行测定。该方法使用一定厚度的刀片沿着晶圆的边缘位置插入键合界面,使用红外成像设备测定裂纹长度,并结合刀片厚度及晶圆厚度计算得到界面键合能。
发明内容
本申请实施例提供一种键合技术的键合能测试方法,旨在为晶圆提供一种避免晶圆破裂的键合能测试方法。
本申请实施例提供了一种键合技术的键合能测试方法,包括如下步骤:提供键合样品,键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部,第一键合部的面积尺寸大于第二键合部的面积尺寸,第一键合部包括相背的第一表面和第二表面,第二键合部位于第二表面的中部;对键合样品施加压力:在第一表面或者在第一键合部的周侧面向第一键合部施加第一压力,第一压力的施力位置落入第二键合部在第一表面上的正投影内;同时,在第二表面向第一键合部施加多个第二压力,多个第二压力的施力位置对称分布于第二键合部的周侧;记录第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时,对应的第一压力与第二压力;根据裂纹的长度、第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的第一压力以及第二压力,计算键合能。
基于上述实施例,对键合样品第一键合部的第一表面施加第一压力,同时在第二表面施加与第一压力方向相反的多个第二压力,以使得第一键合部产生形变,当第二键合部与第一键合部之间产生裂纹时,记录此时的第一压力与第二压力,并对裂纹长度进行检测,从而计算第一键合部与第二键合部之间的键合能,通过控制第一压力与第二压力的大小可以降低键合样品破碎的风险,进而为晶圆的生产质量提供可靠保障。
在其中一些实施例中,在对键合样品施加压力的过程中,第一压力的值等于多个第二压力的合力的值。
基于上述实施例,第一压力的值等于第一压力的值,使得键合样品始终保持整体受力平衡状态,从而便于键合样品产生稳定的形变。
在其中一些实施例中,第一压力的施力位置对应于第二键合部在第一表面的正投影的几何中心。
基于上述实施例,将第一压力的施力位置设置于第二键合部在第一表面的正投影的几何中心,以使得第二键合部的边缘位置的受力趋于一致,进而可以提高裂纹长度检测的数据准确性,也即提高键合样品键合能测试的准确性。
在其中一些实施例中,第一压力于第一表面的施力位置所对应的面积小于第二键合部在第一表面上的正投影的面积。
基于上述实施例,第一压力于第一表面的施力位置所对应的面积小于第二键合部在第一表面上的正投影的面积,可以使得第二键合部的边缘可以相对第一键合部产生裂纹,以便于测试裂纹长度,进而便于测试键合样品的键合能;当第一压力于第一表面的施力位置所对应的面积大于或等于第二键合部在第一表面上的正投影的面积时,可能会存在只有第一键合部不与第二键合部接触的部位产生形变,而与第二键合部的结合部位不产生形变,也即在第二键合部与第一键合部的边缘不会出现裂缝,也即无法对键合样品的键合能进行测试。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111314371.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。