[发明专利]低温烧结氧化锆陶瓷及其制备工艺

权利要求书

1.一种低温烧结氧化锆陶瓷，其特征在于：包括以下质量分数的原料制成：92％～98％氧化锆烧成料，2％～8％的烧结助剂；分散剂的加入质量为氧化锆烧成料和烧结助剂总质量和的0.02％～0.04％。

2.根据权利要求1所述的低温烧结氧化锆陶瓷，其特征在于：烧结助剂为氧化镁、氧化铝、氧化钙、氧化铋一种多种。

3.根据权利要求1所述的低温烧结氧化锆陶瓷，其特征在于：分散剂为丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙二醇中的一种。

4.一种权利要求1-3任一项所述的低温烧结氧化锆陶瓷的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

(1)溶解氧化锆烧成料，加入烧结助剂和分散剂混合，调节粘度，得到氧化锆料浆；

(2)将氧化锆料浆球磨，喷雾造粒，得到氧化锆粉体；

(3)将氧化锆粉体经预成型、高压脱模后，得到陶瓷素坯；

(4)将陶瓷素坯低温烧结，得到氧化锆陶瓷。

5.根据权利要求4所述的低温烧结氧化锆陶瓷的制备工艺，其特征在于：溶解氧化锆烧成料质量浓度为70％～80％的水溶液；烧结助剂溶液的质量浓度为0.15％～0.4％；分散剂溶液的质量浓度为0.02％～0.04％。

6.根据权利要求4所述的低温烧结氧化锆陶瓷的制备工艺，其特征在于：用氨水溶液调节粘度至10～15Pa.s。

7.根据权利要求4所述的低温烧结氧化锆陶瓷的制备工艺，其特征在于：球磨时间为50min～70min，球磨粒度研磨至0.50μm～0.60μm。

8.根据权利要求4所述的低温烧结氧化锆陶瓷的制备工艺，其特征在于：喷雾造粒的工艺条件为：进风温度为180℃～195℃，出风温度为80℃～95℃，转速为9000r/min～10000r/min。

9.根据权利要求4所述的低温烧结氧化锆陶瓷的制备工艺，其特征在于：预成型压力为100～150kg/cm²，并保压10s～30s，然后高压脱模，经打磨后，得到陶瓷素坯。

10.根据权利要求4所述的低温烧结氧化锆陶瓷的制备工艺，其特征在于：陶瓷素坯的低温烧结工艺包括：陶瓷素坯将以1.5℃/min～5℃/min的升温速率升温至1260℃～1360℃，保温2～8h。