[发明专利]一种光敏电容器及其制备方法在审
申请号: | 202111311481.4 | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN113903820A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 朱少敏;刘春燕 | 申请(专利权)人: | 鹏盛国能(深圳)新能源集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳深知通专利代理事务所(普通合伙) 44783 | 代理人: | 高真辉 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光敏 电容器 及其 制备 方法 | ||
1.一种光敏电容器,其特征在于,包括上层板、上电极、CuWO4-TiO2介电层、下电极、下层板和导电线,所述下层板设置在下电极的下部,所述上层板设置在上电极的上部,所述CuWO4-TiO2介电层位于上电极和下电极之间,所述导线设置有两根,分别连接上电极和下电极,所述CuWO4-TiO2介电层是在二氧化钛薄膜正反两面与CuWO4烧结得到的。
2.根据权利要求1所述的一种光敏电容器,其特征在于,所述上层板和下层板的厚度为200-300μm,且为透明有机玻璃板。
3.根据权利要求1所述的一种光敏电容器,其特征在于,所述上电极为柱形金属铝薄膜层,厚度为80-130nm,直径为2-4mm。
4.根据权利要求1所述的一种光敏电容器,其特征在于,所述下电极为金属银薄膜层,厚度为80-130nm。
5.根据权利要求1所述的一种光敏电容器,其特征在于,所述二氧化钛薄膜为厚度为100±10nm的金红石二氧化钛薄膜。
6.一种根据权利要求1-5任意一项所述光敏电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将Cu(NO3)2加入到在乙酸中形成溶液A,将钨粉溶解在浓过氧化氢溶液中,并在冰浴中搅拌,接着加入溶液A继续搅拌进行反应成溶胶状态,得到CuWO4前驱体溶胶;
(2)取一半步骤(1)制得的CuWO4溶胶倒入平底模具中均匀摊平后,将金红石二氧化钛薄膜平铺在CuWO4溶胶表面,再将剩余的CuWO4溶胶均匀涂覆在金红石二氧化钛薄膜表面,在常压下经单向加压成复合层,将复合层转移至马弗炉中退火后得到CuWO4-TiO2介电层;
(3)组装:将上层板、金属铝薄膜层、CuWO4-TiO2介电层、金属银薄膜层和下层板裁剪成相同长、宽尺寸,并依次叠放,在叠放过程中将两根导线分别插入上层板和金属铝薄膜层之间、金属银薄膜层和下层板之间,再通过单向加压成光敏电容器。
7.根据权利要求6所述一种光敏电容器的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的溶液A中Cu(NO3)2在乙酸中的质量分数为30%,所述Cu(NO3)2、钨粉、浓过氧化氢的质量比为4.5-4.8:2:10-12,所述过氧化氢的浓度为20%。
8.根据权利要求6所述一种光敏电容器的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中加压压力为250-350Mpa,保压时间为3-5min,所述退火温度为600-650℃,退火时间为2-4h。
9.根据权利要求6所述一种光敏电容器的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中加压压力为200-300Mpa,保压时间为3-5min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的