[发明专利]一种制备纳米级富硒酵母的破壁方法在审
| 申请号： | 202111307875.2 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114507601A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王绪新;徐锦忠 | 申请（专利权）人： | 南京郢天健康管理有限公司 |
| 主分类号： | C12N1/06 | 分类号： | C12N1/06;C12R1/645 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 冯智文 |
| 地址： | 210018 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 级富硒 酵母 方法 | ||
1.一种制备纳米级富硒酵母的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将富硒酵母与水混合后，制得富硒酵母悬浮液；
(2)向步骤(1)制备的富硒酵母悬浮液中加入光催化剂，混合均匀后置于暗箱中，搅拌的同时进行光照处理，离心分离，得到光催化富硒酵母悬浮液；
(3)将制得的光催化富硒酵母悬浮液进行球磨，得到球磨富硒酵母悬浮液；
(4)将制得的球磨富硒酵母悬浮液超声破碎；
(5)重复步骤(3)、(4)的操作，得到纳米级富硒酵母。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述富硒酵母悬浮液中富硒酵母的质量分数为2～10％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述光催化剂为半导体材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述光催化材料为金属氧化物半导体材料、金属硫化物半导体材料、g-C3N4、钙钛矿中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料为ZnO、TiO2、WO3中的一种或多种；所述金属硫化物半导体材料为ZnS、CdS、CuS中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述光催化剂与富硒酵母的质量比为1:50～100。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述搅拌的速度为800～1200r/min；所述光照的时间为22～60min；所述离心的速度为500～800r/min，时间为1～2min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，球磨是在球磨罐中进行，球磨所用撞击球的材料为氧化锆，粒径为2～3cm；所述球磨的球料比为5～2:1；所述球磨的速度为400～600r/min，时间为0.5～1h。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述超声破碎的功率为200～400W，时间为5～20min。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)中，所述重复的次数为1～5次；所述纳米级富硒酵母的破壁率≥80％，纳米化程度≥70％。
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