[发明专利]一种MEMS谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS谐振器，其特征在于，包括谐振体和压阻换能器，所述谐振体为方形平板结构，所述谐振体上设置有四个所述压阻换能器，所述压阻换能器包括直流偏置、第一锚结构和压阻梁，所述直流偏置包括正电极和两个负电极，所述第一锚结构为T型锚结构，所述第一锚结构包括横梁和连杆，所述连杆的一端与所述横梁垂直连接，所述横梁将两个负电极连接，所述连杆的另一端与所述谐振体连接，所述压阻梁的一端与所述横梁连接，所述压阻梁的另一端与正电极连接。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器，其特征在于，所述谐振体、所述第一锚结构和所述压阻梁采用掺杂单晶硅制备而成。

3.根据权利要求2所述的一种MEMS谐振器，其特征在于，当所述掺杂单晶硅为p型掺杂时，所述压阻梁的伸缩方向沿110方向；当所述掺杂单晶硅为n型掺杂时，所述压阻梁的伸缩方向沿100方向。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器，其特征在于，还包括激励电容换能器，所述激励电容换能器包括激励电极和激励槽，所述激励电极设置在所述谐振体的四周，所述激励槽形成于所述激励电极与所述谐振体之间。

5.根据权利要求4所述的一种MEMS谐振器，其特征在于，所述压阻换能器适用于方形伸缩模态谐振器、方形拉梅模态谐振器和方形剪切模态谐振器。

6.根据权利要求5所述的一种MEMS谐振器，其特征在于，当所述压阻换能器应用于方形伸缩模态谐振器时，四个所述压阻换能器分别设置在所述谐振体的四个角上，四个所述激励电极分别与所述谐振体的四条边平行并形成四个所述激励槽。

7.根据权利要求5所述的一种MEMS谐振器，其特征在于，当所述压阻换能器应用于方形拉梅模态谐振器时，四个所述压阻换能器分别设置在所述谐振体四条边的中点上，所述激励电极设置在各个所述压阻换能器的两侧，所述激励电极与所述谐振体的边平行并形成所述激励槽。

8.根据权利要求5所述的一种MEMS谐振器，其特征在于，当所述压阻换能器应用于方形剪切模态谐振器时，所述四个所述压阻换能器分别设置在所述谐振体四个角上，所述激励电极设置在各个所述压阻换能器的两侧，所述激励电极与所述谐振体的边平行并形成所述激励槽。