[发明专利]一种ZnO气敏材料的低温制备方法及其在H2 在审
申请号: | 202111304811.7 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114371254A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 郭友敏 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00 |
代理公司: | 合肥上博知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34188 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 230061 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 zno 材料 低温 制备 方法 及其 base sub | ||
本发明公开了一种ZnO气敏材料的低温制备方法及其在H2S气体传感器中的应用,属于化学传感器技术领域。其中低温制备方法如下:(1)称取Zn(Ac)2·2H2O,加入去离子水,并进行搅拌至完全溶解,得到溶解液;(2)移取NH3·H2O溶液加入步骤(1)制备的溶解液中,密封,放置烘箱中烘干处理;(3)将步骤(2)中静置处理后的溶解液,去除上层清液,并将剩余物进行离心处理,再次去除上层清液,接着用乙醇超声清洗三次,得到白色凝胶状沉积物,转移至烘箱中烘干处理,最后研磨成粉体,转移至高温处理,即可。本发明着重于降低合成ZnO气敏材料的成本及烧结温度,低碳排放,同时结合MEMS应用在硫化氢气体检测,有着突出的灵敏性及选择性,具有重要的市场应用前景。
技术领域
本发明属于化学传感器技术领域,具体地说,涉及一种ZnO气敏材料的低温制备方法及其在H2S气体传感器中的应用。
背景技术
氧化锌(ZnO)是ⅡB-ⅥA族半导体化合物材料,其禁带宽度是3.37eV,在常温下自由激子束缚能为60meV。有着独特的量子尺寸效应、表面效应、压电效应等,是非常理想的光电器件材料,在各个领域都得到了广泛的研究。使得氧化锌不但在光学、电学、生物医学等领域发挥重要的作用,而且作为气敏材料用于气体传感器也存在很大的应用前景。因此,不同形态的氧化锌制备一直是很多科研学者研究的热点。制备氧化锌材料的方法较多,主要是直接沉淀法、固相法、熔盐法、液相合成法和气相法。
目前,市场上合成ZnO的方法有很多,主要有直接沉淀法、固相法、熔盐法、液相合成法和气相法。如孟等人使用水热法合成了ZnO多孔微球气敏材料,工作温度在250℃下,对10ppm的甲醛气体的灵敏度为6.3,但此制备方法实验操作复杂,流程较多,需要多次反应烧结,最终烧结温度400℃。汪等人使用静电纺丝技术合成了ZnO纳米纤维气敏材料,工作温度在300℃下,对1000ppm的丙酮气体灵敏度为47,工作温度在400℃下,对10ppm的H2S气体灵敏度为12,此方法需要实验药品较多,且需要施加8-12kV的电压,烧结温度为600-650℃。张等人用水热法制备了g-C3N4/ZnO气敏材料,工作温度在280℃下,对100ppm的乙醇气体灵敏度为84.1,但此方法需要经过两次高温烧结,最终烧结温度在400-450℃,且产物存在着含碳基团,增加了碳排放。此外,用于检测H2S气体传感器的方法有多种,如电化学型、红外型、金属氧化物半导体(MOS)型、催化燃烧式等。其中,金属氧化物半导体气体传感器因其使用寿命长、操作简单和低成本,同时结合微电子机械系统(MEMS)微加热芯片体积小、功耗低、易于集成等优点,在检测H2S气体方面具有非常重要的前景。为了响应国家在2030年实现“碳达峰”和2060年实现“碳中和”的背景下,本发明实现低温简单制备ZnO气敏材料,降低碳排放;本发明的ZnO制备方法原材料简单、烧结温度低且可大规模生产,有着广阔的市场应用前景。
现有技术方案:
申请号为201610141734.3、公开号为CN105645460A、公开日期为2016.6.08、名称为一种花状ZnO多孔微球的制备及应用方法公布了将Zn(NO3)2·6H2O、尿素、PEG20000配置成前驱体溶液;然后进行100℃的水热反应,最后在400℃马弗炉煅烧,得到ZnO多孔微球,该实验方法合成需三种合成原料,操作复杂,流程较多,需要多次反应烧结。
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