[发明专利]一种用于小角散射实验的高温炉在审

专利信息
申请号: 202111302150.4 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN114137006A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 胡海韬;张纯纯;段钰锋;童欣;李海洋;袁宝;白波;程辉;黄志强;林权 申请(专利权)人: 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
主分类号: G01N23/20033 分类号: G01N23/20033;G01N23/201;F27B17/02;F27D7/06;F27D11/02
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 廖金晖;彭家恩
地址: 523808 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 小角 散射 实验 高温
【说明书】:

发明公开了一种用于小角散射的高温炉,包括:炉体机构,加热机构以及送样机构,炉体机构包括:炉体壳体以及保温体;保温体设置在炉体壳体的内部,炉体壳体上还相对地设置有束流入射窗和束流出射窗,保温体的内部形成有保温腔室;加热机构设置在保温腔室中,其包括:铌箔内筒以及套设在铌箔内筒上的铌箔外筒,铌箔外筒和铌箔内筒用于外接电源以产生热量;送样机构包括:送样杆以及设置在送样杆上的样品承载件;样品承载件用于装载待测样品。本高温炉采用铌箔内筒及套设在铌箔内筒上的铌箔外筒进行加热,使得待测样品能够获得更加均匀的温度,铌箔外筒和铌箔内筒能够产生温度更高的热量,满足实验所需的高温环境,同时对中子散射测量的影响较小。

技术领域

本发明涉及材料分析技术领域,具体涉及一种用于小角散射实验的高温炉。

背景技术

在中子、X射线等散射实验中,中子束流、X射线等照射样品后发生散射或衍射,发生散射或衍射的束流被探测器接收,经过分析可以得到被照射样品的内部微观结构。

当中子、X射线等入射束流照射样品,由于样品内部存在纳米尺度的密度不均匀区,会在入射束流周围0°-4°的小角度范围内出现散射,这种现象称为小角散射效应。小角散射效应是由物质内部1nm-100nm量级范围内电子密度的起伏所引起的,是获得材料内部纳米量级结构信息的重要工具。而为了更好的把握高温下的材料特性变化,提高散射实验的实验准确度,高温样品环境至关重要。高温炉作为散射实验的样品环境设备,通常采用电加热丝加热的方式提供的高温环境,可以用于研究材料的热稳定性、热应力等特性,但由于电加热丝分布的特性,导致温度不均匀,从而难以满足样品所需的高温环境,进而影响实验的准确度。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种能够为小角散射实验的待测样品提供高温环境的高温炉,以满足待测样品所需的高温环境,提高小角散射实验的准确度。

本申请提供了一种用于小角散射实验的高温炉,包括:

炉体机构,包括:炉体壳体以及保温体;所述保温体设置在所述炉体壳体的内部,所述炉体壳体上还相对的设置有束流入射窗和束流出射窗,所述保温体的内部形成有保温腔室,所述保温体设有第一束流入射孔和第一束流出射孔;所述炉体壳体还设有第一进样口,所述保温体还设有第二进样口;

加热机构,其设置在所述保温腔室,所述加热机构包括:铌箔外筒以及铌箔内筒;所述铌箔外筒和所述铌箔内筒的一端封闭,另一端具有敞口;所述铌箔外筒套设在所述铌箔内筒上,所述铌箔外筒和铌箔内筒用于外接电源以产生热量;所述铌箔外筒上开设有第二束流入射孔和第二束流出射孔,所述铌箔内筒上开设有第三束流入射孔和第三束流出射孔;

送样机构,包括:送样杆以及设置在所述送样杆上的样品承载件;所述样品承载件用于装载待测样品,所述送样杆的一端经所述第一进样口、第二进样口、铌箔内筒的敞口伸入至预设测试位,所述预设测试位位于所述铌箔内筒的内部;

所述束流入射窗、束流出射窗、第一束流入射孔、第一束流出射孔、第二束流入射孔、第二束流出射孔、第三束流入射孔、第三束流出射孔基本同轴,以供束流穿过,且束流穿过的路径经过所述预设测试位。

依据上述实施例的用于小角散射实验的高温炉,相较于现有技术采用加热丝加热的方式,本高温炉采用铌箔内筒及套设在铌箔内筒上的铌箔外筒进行加热,使得待测样品能够获得更加均匀的温度,铌箔外筒和铌箔内筒能够产生温度更高的热量,满足实验所需的高温环境。

附图说明

图1为本申请提供的用于小角散射实验的高温炉未安装送样机构的立体图;

图2为本申请提供的用于小角散射实验的高温炉未安装送样机构的俯视图;

图3为图2中A-A方向的剖视图;

图4为图2中B-B方向的剖视图;

图5为图2中C-C方向的剖视图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所,未经散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111302150.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top