[发明专利]相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲控制方法及触发板

权利要求书

1.一种相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲控制方法，其特征在于，包括：

消弧线圈的正极连接第一可控硅的负极，所述消弧线圈的负极连接第一可控硅的正极；第二可控硅与所述第一可控硅反向并联；

检测中性点零序电压的过零时刻，记录当前零序电压由正变负时刻T1和零序电压由负变正时刻T2；

当接收到触发命令为触发并且触发时间为T时，每个周期的T1+T时刻发出第一可控硅的触发脉冲，在每个周期的T2+T时刻发出第二可控硅的触发脉冲；当触发命令为非触发或者无触发命令时，不输出触发脉冲。

2.根据权利要求1所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲控制方法，其特征在于，检测中性点零序电压的过零时刻，包括：

1)设置门限值Vmk，判断每个采样点的极性；Vmk大于外部不加模拟量时AD的最大零漂值，小于0.01V；若某一时刻的采样值Ui≥Vmk，则采样值Ui极性为正；若VmkUi-Vmk，则Ui极性为0；若Ui≤-Vmk，则Ui极性为负；

2)对于每个采样点判断是否满足以下条件：

该采样点距上一过零时刻的时间差大于设定阈值W；

该采样点与其前K个采样点的极性不同；

以及该采样点至其前时长为W时间窗内的最大的采样值的绝对值不低于零序电压有压门槛，该采样点不计入其内；

如果满足则该采样点作为过零时刻点，对应的采样时刻作为过零时刻。

3.根据权利要求2所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲控制方法，其特征在于，若连续100ms内未检测到采样值大于零序电压有压门槛，则报零序电压异常告警，并传给CPU。

4.根据权利要求3所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲控制方法，其特征在于，W取7ms，零序电压有压门槛为0.28V，K取30，每个周期采样点为80个。

5.根据权利要求1至3之一所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲控制方法，其特征在于，第一可控硅和第二可控硅的触发脉冲的持续时间均为100us，为电信号，电信号的电压≥12V。

6.一种相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲触发板，其特征在于，包括过零时刻检测模块和触发模块；

消弧线圈的正极连接第一可控硅的负极，所述消弧线圈的负极连接第一可控硅的正极；第二可控硅与所述第一可控硅反向并联；

过零时刻检测模块，检测中性点零序电压的过零时刻，记录当前零序电压由正变负时刻T1和零序电压由负变正时刻T2；

触发模块，当接收到触发命令为触发并且触发时间为T时，每个周期的T1+T时刻发出第一可控硅的触发脉冲，在每个周期的T2+T时刻发出第二可控硅的触发脉冲；当触发命令为非触发或者无触发命令时，不输出触发脉冲。

7.根据权利要求6所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲触发板，其特征在于，过零时刻检测模块，包括极性判断单元以及选择单元；

所述极性判断单元基于采样值确定极性，若某一时刻的采样值Ui≥Vmk，则采样值Ui极性为正；若VmkUi-Vmk，则Ui极性为0；若Ui≤-Vmk，则Ui极性为负；Vmk大于外部不加模拟量时AD的最大零漂值，小于0.01V；

所述选择单元，判断各个采样点是否满足判断条件，选择满足判断条件的采样点作为过零时刻点，对应的采样时刻作为过零时刻；所述判断条件包括：该采样点距上一过零时刻的时间差大于设定阈值W；

该采样点与其前K个采样点的极性不同；

以及该采样点至其前时长为W时间窗内的最大的采样值的绝对值不低于零序电压有压门槛。

8.根据权利要求7所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲触发板，其特征在于，若所述选择单元连续100ms内未检测到采样值大于零序电压有压门槛，则报零序电压异常告警，并传给CPU。

9.根据权利要求7所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲触发板，其特征在于，W取7ms，零序电压有压门槛为0.28V，K取30。

10.根据权利要求6至9之一所述的相控式消弧线圈的可控硅门极触发脉冲触发板，其特征在于，触发模块发出第一可控硅和第二可控硅的触发脉冲的持续时间均为100us，为电信号，电信号的电压≥12V。