[发明专利]正负压双向开关电路在审

专利信息
申请号: 202111301600.8 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN114142842A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 张识博 申请(专利权)人: 上海川土微电子有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H03K17/081
代理公司: 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 代理人: 郑纯;冯振华
地址: 201306 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 正负 双向 开关电路
【说明书】:

发明的正负压双向开关电路,属于控制系统中开关电路的技术领域,解决现有技术的开关电路通用性差,且易受端口电势差影响的技术问题。其包括集成单极型管组成的互补电路模块,所述互补电路模块一端通过第一使能管与接地端连接,另一端通过第二使能管与电源端连接,且至少设置有第一端口A和第二端口B,所述第一使能管包括使能端EN,所述第二使能管包括使能端ENB,其中:所述互补电路模块用于在所述第一端口A和第二端口B的电压相等或不相等时,通过所述使能端EN和使能端ENB的控制信号,能够对开关进行闭合或断开。该电路支持端口正负压且支持双向导通,其集成度高,提升了控制开关的通用性和使用性。

技术领域

本发明属于控制系统中开关电路的技术领域,尤其涉及一种正负压双向开关电路。

背景技术

传统正压单向开关电路,如图1所示,由PMOS管与NMOS管并联组成互补开关功率管,其中:A与B为外接的两个端口,使能端EN与ENB为两个相反的控制逻辑,且只能应用在A端电压比B端电压高的场合。当B端电压高于A时,无论EN、ENB逻辑为高电平还是为低电平,NMOS管和PMOS管的体二极管会同时导通,该电路结构将失去开关作用。

有鉴于此,特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种正负压双向开关电路,解决现有技术的电路当B端电压高于A时,无论EN、ENB逻辑为高电平还是为低电平,NMOS管和PMOS管的体二极管会同时导通,电路结构将失去开关作用的技术问题。本案的技术方案有诸多技术有益效果,见下文介绍:

提供一种正负压双向开关电路,包括集成单极型管组成的互补电路模块,所述互补电路模块一端通过第一使能管与接地端连接,另一端通过第二使能管与电源端连接,且至少设置有第一端口A和第二端口B,所述第一使能管包括使能端EN,所述第二使能管包括使能端ENB,其中:

所述互补电路模块用于在所述第一端口A和第二端口B的电压相等或不相等时,通过所述使能端EN和使能端ENB的控制信号,能够对开关进行闭合或断开。

在一个优选或可选的实施方式中,所述互补电路模块包括至少两个N型MOS管组合而成的集成单极型管与至少两个P型MOS管组合而成的集成单极型管形成互补电路,以适应第一端口A和第二端口B端口在不同电势下,通过控制信号对开关闭合或断开的控制。

在一个优选或可选的实施方式中,每个N型MOS管和P型MOS管的栅极和源极之间分别并联有钳位电路,所述钳位电路用于稳压,避免所对应MOS管的栅源电压超过限定值而发生损坏。

在一个优选或可选的实施方式中,所述钳位电路由两个稳压二极管或齐纳管串联而成,且每个稳压二极管或齐纳管的阴极相向设置。

在一个优选或可选的实施方式中,所述互补电路模块包括两个N型MOS管和两个P型MOS管,两个P型MOS管包括P沟道的MOS管M1和M2,两个N型MOS管包括N沟道的MOS管M3和M4,其中:

MOS管M1和M3的漏极之间接有所述第一端口A,MOS管M2和M4的漏极之间接有所述第二端口B;

MOS管M1和M2的源极之间电连接,其栅极均与所述使能端EN电连接且栅极电路并联;

MOS管M3和M4的源极电连接,其栅极均与所述使能端ENB电连接且栅极电路并联。

在一个优选或可选的实施方式中,所述第一使能管为N沟道MOS管M6,所述使能端EN为M6的栅极,作为控制开关且由栅极进行控制;

所述第二使能管为P沟道MOS管M5,所述使能端ENB为M5的栅极,作为控制开关且由栅极进行控制;

所述MOS管M6和M5的漏极上分别接有用以降压或限流用的电阻R4和R3,所述使能端EN与ENB为两个相反的控制逻辑,电阻R4和MOS管M3、M4的栅极并联,电阻R3和MOS管M1、M2的栅极并联,其中:

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