[发明专利]正负压双向开关电路在审
申请号: | 202111301600.8 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN114142842A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 张识博 | 申请(专利权)人: | 上海川土微电子有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/081 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 郑纯;冯振华 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正负 双向 开关电路 | ||
本发明的正负压双向开关电路,属于控制系统中开关电路的技术领域,解决现有技术的开关电路通用性差,且易受端口电势差影响的技术问题。其包括集成单极型管组成的互补电路模块,所述互补电路模块一端通过第一使能管与接地端连接,另一端通过第二使能管与电源端连接,且至少设置有第一端口A和第二端口B,所述第一使能管包括使能端EN,所述第二使能管包括使能端ENB,其中:所述互补电路模块用于在所述第一端口A和第二端口B的电压相等或不相等时,通过所述使能端EN和使能端ENB的控制信号,能够对开关进行闭合或断开。该电路支持端口正负压且支持双向导通,其集成度高,提升了控制开关的通用性和使用性。
技术领域
本发明属于控制系统中开关电路的技术领域,尤其涉及一种正负压双向开关电路。
背景技术
传统正压单向开关电路,如图1所示,由PMOS管与NMOS管并联组成互补开关功率管,其中:A与B为外接的两个端口,使能端EN与ENB为两个相反的控制逻辑,且只能应用在A端电压比B端电压高的场合。当B端电压高于A时,无论EN、ENB逻辑为高电平还是为低电平,NMOS管和PMOS管的体二极管会同时导通,该电路结构将失去开关作用。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种正负压双向开关电路,解决现有技术的电路当B端电压高于A时,无论EN、ENB逻辑为高电平还是为低电平,NMOS管和PMOS管的体二极管会同时导通,电路结构将失去开关作用的技术问题。本案的技术方案有诸多技术有益效果,见下文介绍:
提供一种正负压双向开关电路,包括集成单极型管组成的互补电路模块,所述互补电路模块一端通过第一使能管与接地端连接,另一端通过第二使能管与电源端连接,且至少设置有第一端口A和第二端口B,所述第一使能管包括使能端EN,所述第二使能管包括使能端ENB,其中:
所述互补电路模块用于在所述第一端口A和第二端口B的电压相等或不相等时,通过所述使能端EN和使能端ENB的控制信号,能够对开关进行闭合或断开。
在一个优选或可选的实施方式中,所述互补电路模块包括至少两个N型MOS管组合而成的集成单极型管与至少两个P型MOS管组合而成的集成单极型管形成互补电路,以适应第一端口A和第二端口B端口在不同电势下,通过控制信号对开关闭合或断开的控制。
在一个优选或可选的实施方式中,每个N型MOS管和P型MOS管的栅极和源极之间分别并联有钳位电路,所述钳位电路用于稳压,避免所对应MOS管的栅源电压超过限定值而发生损坏。
在一个优选或可选的实施方式中,所述钳位电路由两个稳压二极管或齐纳管串联而成,且每个稳压二极管或齐纳管的阴极相向设置。
在一个优选或可选的实施方式中,所述互补电路模块包括两个N型MOS管和两个P型MOS管,两个P型MOS管包括P沟道的MOS管M1和M2,两个N型MOS管包括N沟道的MOS管M3和M4,其中:
MOS管M1和M3的漏极之间接有所述第一端口A,MOS管M2和M4的漏极之间接有所述第二端口B;
MOS管M1和M2的源极之间电连接,其栅极均与所述使能端EN电连接且栅极电路并联;
MOS管M3和M4的源极电连接,其栅极均与所述使能端ENB电连接且栅极电路并联。
在一个优选或可选的实施方式中,所述第一使能管为N沟道MOS管M6,所述使能端EN为M6的栅极,作为控制开关且由栅极进行控制;
所述第二使能管为P沟道MOS管M5,所述使能端ENB为M5的栅极,作为控制开关且由栅极进行控制;
所述MOS管M6和M5的漏极上分别接有用以降压或限流用的电阻R4和R3,所述使能端EN与ENB为两个相反的控制逻辑,电阻R4和MOS管M3、M4的栅极并联,电阻R3和MOS管M1、M2的栅极并联,其中:
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