[发明专利]一种高灵敏光检测装置

权利要求书

1.一种高灵敏光检测装置，其特征在于，包括反铁磁层、钉扎层、势垒层、自由层、贵金属微纳结构，所述反铁磁层的材料为硬磁反铁磁材料，所述钉扎层置于所述反铁磁层上，所述钉扎层的材料为自旋性极化率高的金属或半金属，所述势垒层置于所述钉扎层上，所述自由层置于所述势垒层上，所述自由层的材料为磁各向异性弱的软磁材料，所述势垒层隔开所述钉扎层和所述自由层，所述贵金属微纳结构周期性地置于所述自由层上。

2.如权利要求1所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：所述贵金属微纳结构相对于所述自由层的表面倾斜，所述贵金属微纳结构部分地置于所述自由层内。

3.如权利要求2所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：还包括第二贵金属微纳结构，所述第二贵金属微纳结构置于所述自由层内。

4.如权利要求1所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：所述自由层的表面设有凹陷部，所述贵金属微纳结构设置在所述凹陷部内。

5.如权利要求4所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：所述凹陷部为楔形凹槽。

6.如权利要求4所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：所述凹陷部贯穿所述自由层，所述贵金属微纳结构置于所述凹陷部底部的所述势垒层上。

7.如权利要求6所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：所述贵金属微纳结构的高度小于所述凹陷部的深度。

8.如权利要求7所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：所述凹陷部周期性排布。

9.如权利要求8所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：所述凹陷部排布的周期为方形周期。

10.如权利要求9所述的高灵敏光检测装置，其特征在于：在同一所述凹陷部内，所述贵金属微纳结构的个数多于1个。