[发明专利]一种纳米石墨烯磁性调控的方法在审
申请号: | 202111301457.2 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN114016000A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 卢建臣;张辉;蔡金明 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C01B32/186;C30B29/02;C30B23/08;B82Y40/00 |
代理公司: | 昆明明润知识产权代理事务所(普通合伙) 53215 | 代理人: | 张云 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 石墨 磁性 调控 方法 | ||
1.一种纳米石墨烯磁性调控的方法,其特征在于:利用共沉积的实验策略,将两种高纯的前驱体分子沉积到金单晶基底表面得到样品,将所述样品进行两步升温,先升温到第一步反应温度,使得含有卤素基团的前驱体分子发生脱卤反应后继而发生碳碳耦联形成聚合物,再对样品进行第二步升温,使得聚合物发生环化脱氢反应得到磁性纳米石墨烯;
两种前驱体分子可以在同种之间以及异种之间均发生以上的反应,从而得到不同磁性基态的纳米石墨烯。
2.根据权利要求1所述的纳米石墨烯磁性调控的方法,其特征在于:所述的两种前驱体分子采用共沉积的实验方法。
3.根据权利要求1所述的纳米石墨烯磁性调控的方法,其特征在于:采用的金属单晶基底为金基底。
4.根据权利要求1所述的纳米石墨烯磁性调控的方法,其特征在于:所述的样品的第一步反应温度为180℃~220℃。
5.如权利要求1所述的纳米石墨烯磁性调控的方法,其特征在于:所述的样品的第二步反应温度为300℃~350℃。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的