[发明专利]探测组件、PET成像设备及探测组件的制造方法

权利要求书

1.一种探测组件，包括光电转换器及与所述光电转换器光耦合的光接收器，所述光电转换器包括反射层及由多个晶体单元以阵列排布方式组成的晶体阵列；所述晶体阵列具有出光面，所述光接收器与所述出光面毗邻，所述反射层盖设所述晶体阵列上除去所述出光面的外侧，其特征在于：

所述光电转换器还包括第一热缩件，所述第一热缩件包括围绕所述晶体阵列周向侧部整周设置的热缩层，所述热缩层位于所述反射层外围，能够随自身温度上升向所述晶体阵列的聚合中心收缩形变并挤压所述反射层，以使所述反射层与所述晶体阵列贴合。

2.根据权利要求1所述的探测组件，其特征在于，所述第一热缩件还包括定位层，所述定位层盖设所述晶体阵列上与所述出光面相对设置的一侧，所述热缩层与所述定位层连接并共同围设形成套体；所述反射层夹设在所述套体内壁与所述晶体阵列上除去所述出光面的表面之间。

3.根据权利要求2所述的探测组件，其特征在于，所述套体内形成凹腔，所述凹腔用于供所述套体从所述晶体阵列上与所述出光面相对设置的一侧之外套设所述晶体阵列；所述凹腔的空间形状与所述晶体阵列的立体形状相适配。

4.根据权利要求2所述的探测组件，其特征在于，所述第一热缩件(30)包括至少一个热缩膜，每个所述热缩膜弯折形成多个相互连接的片层；

多个所述片层包括盖设所述晶体阵列周向侧部的侧部片层及盖设所述晶体阵列上和所述出光面相对设置一侧的顶部片层；所述侧部片层形成所述热缩层，所述顶部片层形成所述定位层。

5.根据权利要求2所述的探测组件，其特征在于，所述热缩层为一体式热缩膜，所述一体式热缩膜整周缠绕于所述晶体阵列的周向侧部；所述定位层为热缩膜并且与所述热缩层分体设置。

6.根据权利要求1所述的探测组件，其特征在于，所述晶体阵列的数量为多个并且以阵列方式集中排布形成晶体组；

所述探测组件还包括第二热缩件，所述第二热缩件围绕所述晶体组的周向侧部整周设置，能够随自身温度上升向所述晶体组的聚合中心收缩变形，并挤压位于所述晶体组周向外围的晶体阵列。

7.根据权利要求6所述的探测组件，其特征在于，每个所述晶体阵列的出光面均位于所述晶体组的同一侧部，所述侧部形成所述晶体组的出光区；

所述探测组件还包括定位件，所述定位件位于所述晶体组上与所述出光区相对设置的另一侧，且每个所述晶体阵列中与所述出光区相对设置的一侧均与所述定位件贴合；所述定位件的形状与所述晶体组上和所述出光区相对设置的一侧的形状相匹配。

8.一种PET成像设备，其特征在于，包括扫描通道以及如权利要求1至7中任意一项所述的探测组件，所述探测组件安装在所述扫描通道的外周上。

9.一种用于PET成像设备的探测组件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

将多个晶体单元按照阵列排布方式聚合形成晶体阵列；

在所述晶体阵列的外侧盖设反射层；

在所述反射层的外围至少对所述晶体阵列的周向侧部整周设置热缩层；

对所述热缩层升温处理；

其中，所述晶体阵列的周向侧部与所述出光面异面相邻设置。

10.根据权利要求9所述的探测组件的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括如下步骤：

将多个晶体阵列按照阵列排布方式聚合形成晶体组；

在所述晶体组的周向侧部整周设置第二热缩件；

在所述晶体组上和出光区相对设置的另一侧设置定位件，以使所述晶体组上和所述出光区相对设置的另一侧贴合所述定位件；

其中，所述晶体组的周向侧部与所述出光区异面相邻设置。