[发明专利]一种单断口激励熔断器在审
申请号: | 202111299686.5 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN113903639A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 陈蓉蓉 | 申请(专利权)人: | 西安中熔电气股份有限公司 |
主分类号: | H01H85/05 | 分类号: | H01H85/05;H01H85/165;H01H85/38 |
代理公司: | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人: | 胡思棉 |
地址: | 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 断口 激励 熔断器 | ||
1.一种单断口激励熔断器,包括相互密封对接的激励壳体、动力壳体、空气腔室壳体;各壳体间开设有相互贯通的空腔;气体发生装置密封设置于激励壳体的所述空腔中,动力装置密封设置于动力壳体的所述空腔中,导电板位于动力壳体与空气腔室壳体间;所述空气腔室壳体与底壳形成封闭腔体;所述气体发生装置通过保护罩固定;其特征在于,导电板上设有用于定位及防呆的矩齿状结构,在空气腔室壳体上面设有与该矩齿状结构相匹配的容置凹槽,动力壳体上设有与所述容置凹槽相嵌套的凸出结构,导电板位于所述容置凹槽与凸出结构之间;熔体穿过所述空腔穿设在所述底壳和所述空气腔室壳体间,并穿过所述空气腔室壳体与导电板并联连接;位于所述空腔中的熔体至所述底壳底部保留有供熔体机械断开的位移距离。
2.根据权利要求1所述的单断口激励熔断器,其特征在于,位于壳体中的所述导电板上设置有断开薄弱处,在所述导电板两侧还设置有防呆结构。
3.根据权利要求1所述的单断口激励熔断器,其特征在于,在所述动力壳体与空气腔室壳体接触面处开设有用于密封接触面的相互配合的密封凹槽和密封凸棱。
4.根据权利要求1所述的单断口激励熔断器,其特征在于,所述动力壳体与激励壳体接触的接触面设置有凸台结构,在凸台结构上设置有防呆孔;在激励壳体的空腔下部为与所述凸台结构相匹配的台阶孔结构,在所述台阶孔结构的台阶面上设置有与所述防呆孔对应的防呆柱。
5.根据权利要求1所述的单断口激励熔断器,其特征在于,所述激励壳体与动力壳体为一体设置。
6.根据权利要求4所述的单断口激励熔断器,其特征在于,所述激励壳体的空腔上部为不对称台阶孔结构,且在空腔上端一侧开设有防呆缺口;所述气体发生装置设置在不对称台阶孔结构处。
7.根据权利要求1所述的单断口激励熔断器,其特征在于,所述空气腔室壳体下面设置有容置腔,在所述容置腔中设置有凸台,所述空腔位于所述凸台处;所述凸台与所述空气腔室壳体内壁间形成灭弧凹槽;在所述空腔两侧的凸台边缘处设置有对熔体进行定位的定位柱;在所述灭弧凹槽中开设有供熔体穿过的透孔;底壳包括密封壳体和底盖,所述密封壳体与所述空气腔室壳体对接使位于所述凸台两侧的灭弧凹槽形成密封的灭弧腔室,贯通所述空气腔室壳体的所述空腔贯通所述密封壳体;熔体位于所述密封壳体和空气腔室壳体间,且穿过所述空腔及所述灭弧腔室处的所述透孔与导电板并联连接;底盖密封所述密封壳体。
8.根据权利要求7所述的单断口激励熔断器,其特征在于,在所述空气腔室壳体与密封壳体接触面间设置有相互嵌套的密封凸棱和密封凹槽。
9.根据权利要求1所述的单断口激励熔断器,其特征在于,所述空气腔室壳体为一端开口的壳体,其容纳导电板的一端为开口端。
10.根据权利要求9所述的单断口激励熔断器,其特征在于,所述底壳包括一端开口的熔体容置壳体、以可拆卸方式密封熔体容置壳体开口端的熔体盖板、密封其底部的底盖;所述空腔贯通熔体盖板和熔体容置壳体;设置有熔体盖板的所述熔体容置壳体一端与所述空气腔室壳体连接;在所述熔体盖板与熔体容置壳体间形成数个密封的灭弧腔室;熔体穿设在所述熔体盖板与熔体容置壳体之间,且穿过所述空腔及所述灭弧腔室后穿过所述熔体盖板与所述空气腔室壳体与导电板并联连接。
11.根据权利要求10所述的单断口激励熔断器,其特征在于,在所述熔体容置壳体的空腔位于所述底盖的一侧的开口处设置有台阶孔和限位凹槽,在所述台阶孔处设置有压盖,所述压盖开设有与所述空腔贯通的空腔;所述底盖上设置有与所述限位凹槽相匹配的限位凸棱。
12.根据权利要求10所述的单断口激励熔断器,其特征在于,在所述熔体盖板上设置有对熔体进行定位的定位柱,所述定位柱位于灭弧腔室中,在熔体盖板上还设置有填充灭弧介质的至少一个填充孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安中熔电气股份有限公司,未经西安中熔电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111299686.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。