[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一半导体层以及第二半导体层，彼此重叠，其中该第一半导体层的第一面的面积大于该第二半导体层的第二面的面积，其中该第一面朝向该第二面；

第一接垫，电连接至该第一半导体层；

第二接垫，电连接至该第二半导体层；以及

保护凸块，位于该第一接垫与该第二接垫之间，该保护凸块不接触该第一接垫与该第二接垫。

2.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：

绝缘层，位于该第一半导体层的表面以及该第二半导体层的表面，其中该绝缘层具有第一开孔以及第二开孔，该第一接垫与该第二接垫分别位于该第一开孔以及该第二开孔中，且该保护凸块位于该绝缘层与该第二半导体层之间。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中以该第一半导体层的该第一面为基准，该绝缘层的最顶面的高度低于该第一接垫的最顶面的高度以及该第二接垫的最顶面的高度。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中该保护凸块与该第二接垫直接接触该第二半导体层。

5.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：

绝缘层，位于该第一半导体层的表面以及该第二半导体层的表面，其中该绝缘层具有第一开孔以及第二开孔，该第一接垫与该第二接垫分别位于该第一开孔以及该第二开孔中，且该绝缘层位于该保护凸块与该第二半导体层之间。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中该保护凸块包括针对激光的穿透率小于10％的材料。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中该保护凸块为多层结构。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中该发光二极管在第一方向上的长度为L，该第一接垫与该第二接垫在该第一方向上排列，该第一接垫在该第一方向上的长度为L1，该第二接垫在该第一方向上的长度为L2，且该保护凸块在该第一方向上的长度L3介于3微米至(L-L1-L2-4)微米。

9.一种发光二极管，包括：

第一半导体层；

第二半导体层，重叠于该第一半导体层；

绝缘层，位于该第二半导体层上；

第一接垫以及第二接垫，位于该绝缘层上，且该第一接垫与该第二接垫都重叠于该第二半导体层；

第一导电孔，穿过该第二半导体层以及该绝缘层，且电连接该第一接垫至该第一半导体层；以及

第二导电孔，穿过该绝缘层，且电连接该第二接垫至该第二半导体层，

保护凸块，位于该第一接垫与该第二接垫之间，该保护凸块不接触该第一接垫与该第二接垫。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其中以该第二半导体层为基准，该第一接垫的最顶面的高度等于该第二接垫的最顶面的高度。

11.如权利要求9所述的发光二极管，其中该第二半导体层具有重叠于该第一半导体层的第一开口，该绝缘层覆盖该第一开口的侧壁，且该绝缘层具有重叠于该第一开口的第一开孔，第一导电材料填入该第一开口以及该第一开孔中以形成该第一导电孔。

12.如权利要求11所述的发光二极管，其中该第一导电材料位于该第一接垫与该绝缘层之间。

13.如权利要求9所述的发光二极管，其中该绝缘层具有重叠于该第二半导体层的第二开孔，第二导电材料填入该第二开孔中以形成该第二导电孔。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其中该第二导电材料位于该第二接垫与该绝缘层之间。

15.如权利要求9所述的发光二极管，其中该绝缘层位于该保护凸块与该第二半导体层之间。