[发明专利]像素结构及其制备方法和显示面板有效

专利信息
申请号: 202111299019.7 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN113745406B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 王杰;许益祯;江枫;张建英;袁海江 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/56;H01L21/66;H01L27/32
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素结构的制备方法,所述像素结构包括衬底,其特征在于,所述制备方法包括:

在衬底(10)上沉积出发光材料定义层(104);

在所述发光材料定义层(104)中蚀刻出第一发光材料腔体(11)和第二发光材料腔体(12),所述第一发光材料腔体(11)与所述第二发光材料腔体(12)之间通过连通通道(13)连通;

向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5);

检测所述第一发光材料腔体(11)中的发光材料是否经由所述连通通道(13)溢出到所述第二发光材料腔体(12)中形成第二发光材料层(6);

当所述第二发光材料腔体(12)中形成第二发光材料层(6)时,停止向第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料;

在所述发光材料定义层(104)、所述第一发光材料层(5)和所述第二发光材料层(6)沉积出绝缘层的电子传输定义层(105);

在所述电子传输定义层(105)中蚀刻出电子传输腔体,使得所述第一发光材料层(5)的靠近所述电子传输定义层(105)的表面露置于所述电子传输腔体中;

在所述电子传输腔体中沉积出电子传输层(7);

在所述电子传输定义层(105)和所述电子传输层(7)沉积出绝缘层的阴极定义层(106);

在所述阴极定义层(106)中蚀刻出阴极腔体,使得所述电子传输层(7)的靠近所述阴极定义层(106)的表面露置于所述阴极腔体中;

在所述阴极腔体中沉积出阴极层(8);

在所述阴极定义层(106)和所述阴极层(8)沉积出封装层(9)。

2.如权利要求1所述的像素结构的制备方法,其特征在于,所述连通通道(13)具有第一宽度,所述向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5),包括:

以第一速率向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂红色发光材料,以形成第一厚度的第一发光材料层(5);

或者,所述连通通道(13)具有第二宽度,所述向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5),包括:

以第二速率向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂绿色发光材料,以形成第二厚度的第一发光材料层(5);

或者,所述连通通道(13)具有第三宽度,所述向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5),包括:

以第三速率向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂蓝色发光材料,以形成第三厚度的第一发光材料层(5);

其中,所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度之间的大小关系为:所述第三宽度>所述第一宽度>所述第二宽度;

所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度之间的大小关系为:所述第三厚度>所述第一厚度>所述第二厚度。

3.如权利要求2所述的像素结构的制备方法,其特征在于,所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度的大小范围为0.5nm~200nm。

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