[发明专利]像素结构及其制备方法和显示面板有效
| 申请号: | 202111299019.7 | 申请日: | 2021-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN113745406B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 王杰;许益祯;江枫;张建英;袁海江 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/56;H01L21/66;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种像素结构的制备方法,所述像素结构包括衬底,其特征在于,所述制备方法包括:
在衬底(10)上沉积出发光材料定义层(104);
在所述发光材料定义层(104)中蚀刻出第一发光材料腔体(11)和第二发光材料腔体(12),所述第一发光材料腔体(11)与所述第二发光材料腔体(12)之间通过连通通道(13)连通;
向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5);
检测所述第一发光材料腔体(11)中的发光材料是否经由所述连通通道(13)溢出到所述第二发光材料腔体(12)中形成第二发光材料层(6);
当所述第二发光材料腔体(12)中形成第二发光材料层(6)时,停止向第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料;
在所述发光材料定义层(104)、所述第一发光材料层(5)和所述第二发光材料层(6)沉积出绝缘层的电子传输定义层(105);
在所述电子传输定义层(105)中蚀刻出电子传输腔体,使得所述第一发光材料层(5)的靠近所述电子传输定义层(105)的表面露置于所述电子传输腔体中;
在所述电子传输腔体中沉积出电子传输层(7);
在所述电子传输定义层(105)和所述电子传输层(7)沉积出绝缘层的阴极定义层(106);
在所述阴极定义层(106)中蚀刻出阴极腔体,使得所述电子传输层(7)的靠近所述阴极定义层(106)的表面露置于所述阴极腔体中;
在所述阴极腔体中沉积出阴极层(8);
在所述阴极定义层(106)和所述阴极层(8)沉积出封装层(9)。
2.如权利要求1所述的像素结构的制备方法,其特征在于,所述连通通道(13)具有第一宽度,所述向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5),包括:
以第一速率向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂红色发光材料,以形成第一厚度的第一发光材料层(5);
或者,所述连通通道(13)具有第二宽度,所述向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5),包括:
以第二速率向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂绿色发光材料,以形成第二厚度的第一发光材料层(5);
或者,所述连通通道(13)具有第三宽度,所述向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂发光材料,以形成第一发光材料层(5),包括:
以第三速率向所述第一发光材料腔体(11)中喷涂蓝色发光材料,以形成第三厚度的第一发光材料层(5);
其中,所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度之间的大小关系为:所述第三宽度>所述第一宽度>所述第二宽度;
所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度之间的大小关系为:所述第三厚度>所述第一厚度>所述第二厚度。
3.如权利要求2所述的像素结构的制备方法,其特征在于,所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度的大小范围为0.5nm~200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





