[发明专利]对微波场局域的器件及其制备方法有效
| 申请号: | 202111293499.6 | 申请日: | 2021-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN113991284B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
| 发明(设计)人: | 陈向东;孙方稳 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
| 主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张博 |
| 地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微波 局域 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种对微波场局域的器件,包括:
基板;
天线,设置于所述基板上,所述天线的对称中心设有第一狭缝,其中,所述天线包括两个相同且对称分布的第一图形,在所述两个相同且对称分布的第一图形的对称中心设有第一狭缝;
衬底,覆盖于所述第一狭缝上,所述衬底的材料包括金刚石;
微波接收天线,设置于所述衬底上,并与所述天线相连,所述微波接收天线的对称中心设有第二狭缝,其中,所述微波接收天线包括两个相同且对称分布的第二图形,在所述两个相同且对称分布的第二图形的对称中心设有第二狭缝;以及
纳米线,位于所述第二狭缝,并与所述微波接收天线连接,其中,所述纳米线包括银纳米线,局域到纳米尺度的微波场强度的分布集中在纳米线。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述纳米线沿第一方向的尺寸大于所述第二狭缝沿所述第一方向的尺寸,所述第一方向为所述纳米线的延伸方向。
3.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一图形与所述第二图形的形状相同。
4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述第一图形在所述基板上的正投影的面积大于所述第二图形在所述基板上的正投影的面积。
5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的器件的制备方法,包括:
在基板上制备天线,在所述天线的对称中心留有第一狭缝;
在衬底上旋涂纳米线;
在所述纳米线上制备微波接收天线,所述微波接收天线的对称中心留有第二狭缝,得到纳米线-微波接收天线结构;以及
将制备有所述纳米线-微波接收天线结构的衬底制备在所述第一狭缝上,使得所述微波接收天线与所述天线相连。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其中,在所述纳米线上制备微波接收天线,包括:
在所述纳米线的上层旋涂光刻胶,得到含有光刻胶层的衬底;
利用含有所述微波接收天线图案的掩膜对所述光刻胶层进行曝光,得到含有所述微波接收天线图案的光刻胶层;
对所述含有所述微波接收天线图案的光刻胶层进行显影,得到含有所述接收天线图案的衬底;
在所述含有所述接收天线图案的衬底上制备金属薄膜;以及
清洗所述衬底上残余的光刻胶。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其中,在含有所述微波接收天线图案的掩膜上,包括两个相同且对称分布的第二图形,在两个相同且对称分布的第二图形的对称中心设有第二狭缝。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其中,利用含有所述微波接收天线图案的掩膜对所述光刻胶层进行曝光,得到含有所述微波接收天线图案的光刻胶层,包括:
通过显微镜观察所述纳米线在衬底上的排列分布;
根据观察到的排列分布,选取第二狭缝的位置,确保纳米线位于所述第二狭缝,并与所述微波接收天线相连;
根据所述第二狭缝的位置,放置含有所述微波接收天线图案的掩膜;以及
利用含有所述微波接收天线图案的掩膜对所述光刻胶层进行曝光,得到含有所述微波接收天线图案的光刻胶层。
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