[发明专利]一种压电性氧化物单晶基板的制造方法、SAW滤波器

权利要求书

1.一种压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，制备富锂多晶粉体，将碳酸锂和金属氧化物混合，进行高温固相反应后，破碎，制备所述富锂多晶粉体，所述金属氧化物中的金属元素与压电性氧化物单晶基板中的金属元素相同，所述富锂多晶粉体中的锂与金属具有第一化学计量比，所述压电性氧化物单晶基板中的锂与金属具有第二化学计量比，所述第一化学计量比大于所述第二化学计量比；

步骤2，制备还原片，将所述富锂多晶粉体与还原性粉体按照预置的比例混合，所述还原性粉体为金属粉或碳粉，压片制备第一还原片和第二还原片；

步骤3，还原处理，将所述第一还原片、所述压电性氧化物单晶基板、所述第二还原片依次安放在支架上，埋入所述富锂多晶粉体中，高温还原处理预置时间后生成表面为伪化学计量组成的压电性氧化物单晶基板。

2.根据权利要求1所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物为五氧化二钽，所述压电性氧化物单晶基板为钽酸锂，所述第一化学计量比为55:45-65:35。

3.根据权利要求2所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，所述还原性粉体为镁粉和/或铁粉，所述还原性粉体与所述富锂多晶粉体的质量比为10:90-40:60。

4.根据权利要求1所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物为五氧化二铌，所述压电性氧化物单晶基板为铌酸锂，所述第一化学计量比为55:45-65:35。

5.根据权利要求4所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，所述还原性粉体为镁粉和/或锌粉，所述还原性粉体与所述富锂多晶粉体的质量比为10:90-40:60。

6.根据权利要求1所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，步骤3中，高温还原处理的同时进行热释电处理去除所述衬底的表面静电，所述热释电处理包括：

所述压电性氧化物单晶基板具有相互平行的上表面和下表面，所述第一还原片与所述上表面相接触，所述第二还原片与所述下表面相接触，

所述第一还原片远离所述压电性氧化物单晶基板的表面与第一金属电极电连接；

所述第二还原片远离所述压电性氧化物单晶基板的表面与第二金属电极电连接；

所述第一金属电极与所述第二金属电极在所述压电性氧化物单晶基板的z轴方向上施加还原电压。

7.根据权利要求6所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，所述高温还原处理包括：在常压下、惰性气体和还原性气体的混合气体氛围中，以400℃以上且居里温度以下的温度进行恒温热处理1-2小时后，施加还原电压，施加的还原电流密度为0.05-0.2mA/cm²，继续恒温10-50分钟，带电降温，温度降至350℃时，撤去所述还原电压，继续冷却至室温。

8.根据权利要求6所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属电极与所述第二金属电极在所述压电性氧化物单晶基板的z轴方向上施加还原电压，包括：

利用具有银元素的导电涂层形成的电池分别向所述衬底的z轴的正方向上施加第一还原电压和向所述衬底的z轴的反方向上施加第二还原电压。

9.根据权利要求1所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法，其特征在于，所述压电性氧化物单晶基板为多个，所述将还原片、隔离片、压电性氧化物单晶基板、隔离片、还原片依次安放在支架上以实现均匀还原所述压电性氧化物单晶基板，所述压电性氧化物单晶基板垂直于地面设置。

10.一种SAW滤波器，其特征在于，包括：

利用如权利要求1-9任一项所述的压电性氧化物单晶基板的制造方法所制成的压电性氧化物单晶基板；

覆盖于所述压电性氧化物单晶基板的IDT电极。