[发明专利]低温银浆及异质结电池

权利要求书

1.一种低温银浆，以重量份计，该低温银浆包括：85-92份导电银粉、1-5份银铟合金、2-6份复合环氧树脂、1-4份裂纹扩展抑制剂、0.1-1份钛酸酯偶联剂、0.1-1份固化剂、1-8份溶剂。

2.根据权利要求1所述的低温银浆，其中，所述导电银粉包括球状银粉和片状银粉；

优选地，所述片状银粉的平均粒径为2μm-10μm、振实密度为4.5g/cm³以上；

优选地，所述球状银粉的平均粒径为0.1μm-3μm、振实密度为1.5g/cm³以上；

优选地，所述片状银粉与所述球状银粉的质量比为25：75-80：20、更优选为30：70-75：25。

3.根据权利要求1所述的低温银浆，其中，所述复合环氧树脂包括多酚型缩水甘油醚环氧树脂和杂环型缩水甘油环氧树脂；

优选地，所述多酚型缩水甘油醚环氧树脂包括双酚F性环氧树脂、线性苯酚甲醛环氧树脂、邻甲酚甲醛环氧树脂、间苯二酚甲醛环氧树脂中的一种或两种以上的组合，所述杂环型缩水甘油环氧树脂包括二缩水甘油基乙内酰脲、5,5-二甲基海因环氧树脂中的一种；

优选地，所述多酚型缩水甘油醚环氧树脂和杂环型缩水甘油环氧树脂的重量份比例为3:1-1:1；

优选地，所述复合环氧树脂的数均分子量为120-1200。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低温银浆，其中，所述银铟合金包括银铟合金纳米线；

优选地，所述银铟合金纳米线的直径为100nm-500nm、长度为1μm-3μm；

优选地，所述银铟合金中银的质量含量为70％-90％、铟的质量含量为10％-30％；

更优选地，所述银铟合金中铟的质量含量为20％-30％。

5.根据权利要求1所述的低温银浆，其中，所述裂纹扩展抑制剂包括在200℃以下的温度进行固化的聚合物，优选地，所述裂纹扩展抑制剂包括在80-180℃进行固化的聚合物；

优选地，所述裂纹扩展抑制剂包括不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、呋喃树脂、聚丁二烯树脂、有机硅树脂、热塑性丙烯酸树脂、脲醛树脂中的一种或两种以上的组合；

更优选地，所述热塑性丙烯酸树脂包括甲基丙烯酸丁酯聚合物、甲基丙烯酸甲酯聚合物、甲基丙烯酸乙酯聚合物、甲基丙烯酸异丁酯聚合物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、甲基丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸乙酯共聚物中的一种或两种以上的组合；

更优选地，所述有机硅树脂包括聚甲基硅树脂、聚乙基硅树脂、聚芳基有机硅树脂、聚烷基芳基有机硅树脂中的一种或两种以上的组合；

更优选地，所述裂纹扩展抑制剂包括聚丁二烯树脂和/或热塑性丙烯酸树脂。

6.根据权利要求1所述的低温银浆，其中，所述固化剂包括热阳离子固化剂，优选地，所述固化剂包括三氟化硼-单乙胺络合物和/或胺封闭六氟锑酸盐。

7.根据权利要求1所述的低温银浆，其中，所述溶剂包括二乙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇二乙酸酯、二乙二醇丁醚、醇酯十二、松油醇、乙二醇苯醚、二乙二醇二乙醚和己二酸二甲酯、乙二醇乙醚乙酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯中的一种或两种以上的组合。

8.根据权利要求1所述的低温银浆，其中，所述钛酸酯偶联剂包括异丙基三(十二烷基苯磺酰基)钛酸酯、异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基三(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯中的一种或者两种以上的组合。

9.一种异质结电池，其包括TCO基材和权利要求1-8任一项所述的低温银浆固化形成的电极；

优选地，所述TCO基材包括氧化铟：氧化锡为97:3的ITO基材、氧化铟：氧化锡为90:10的ITO基材、IW0基材、ICO基材中的一种。

10.根据权利要求9所述异质结电池，其中，当所述TCO基材为氧化铟：氧化锡为97:3的ITO基材和/或氧化铟：氧化锡为90:10的ITO基材时，所述低温银浆中的裂纹扩展抑制剂包括聚丁二烯树脂；

当所述TCO基材为IW0基材时，所述低温银浆中的裂纹扩展抑制剂包括热塑性丙烯酸树脂；

当所述TCO基材为ICO基材时，所述低温银浆中的裂纹扩展抑制剂包括有机硅树脂；

当所述TCO基材为氧化铟：氧化锡为97:3的ITO基材时，所述复合环氧树脂的数均分子量为800-1200；

当所述TCO基材为氧化铟：氧化锡为90:10的ITO基材时，所述复合环氧树脂的数均分子量为120-800。