[发明专利]一种基于MXene废弃沉淀制备的电磁波吸收材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于MXene废弃沉淀制备的电磁波吸收材料，其特征在于所述电磁波吸收材料是通过以MAX相刻蚀制备MXene后剩余的MXene废弃沉淀为原材料，经过收集，干燥，碳化处理后得到的。

2.如权利要求1所述的一种基于MXene废弃沉淀制备的电磁波吸收材料，其特征在于所述碳化处理为：将干燥后的MXene废弃沉淀置于坩埚中，放入管式炉中在N₂气氛下400-1000℃碳化1-5h，得到电磁波吸收材料。

3.如权利要求1所述的基于MXene废弃沉淀制备的电磁波吸收材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)将MAX相加入到刻蚀剂中进行刻蚀处理，得到MXene；

(2)反复用去离子水洗涤并离心至中性后，经若干次的震荡和离心后，收集下层沉淀即MXene废弃沉淀；

(3)对上述步骤(2)得到的MXene废弃沉淀进行干燥；

(4)将上述步骤(3)干燥后的MXene废弃沉淀进行碳化处理，得到电磁波吸收材料。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中MAX相包括Ti₃AlC₂、Ti₂AlC、Nb₂AlC中的一种或多种，优选Ti₃AlC₂，所述MXene为手风琴状。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中刻蚀剂包括HF或LiF/HCl复合溶剂中的一种，优选刻蚀剂为LiF/HCl复合溶剂。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中刻蚀处理的条件为：转速200-400rpm，温度35-50℃，反应时间24-48h。

7.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中离心的转速均为1500-3500r/min。

8.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中干燥包括真空干燥，所述真空干燥的条件为：干燥温度40-70℃，干燥时间12-48h。

9.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中碳化处理的具体操作为：将干燥后的MXene废弃沉淀置于坩埚中，放入管式炉中在N₂气氛下400-1000℃碳化1-5h，得到电磁波吸收材料。

10.如权利要求1或2所述的基于MXene废弃沉淀制备的电磁波吸收材料在作为新型电磁波吸波材料中的应用。