[发明专利]一种宽温低抖动环形振荡器

权利要求书

1.一种宽温低抖动环形振荡器，其特征在于，包括：N个相同的差分电路；其中N为大于等于3的奇数；

N个所述差分电路的一输入端均连接第一电压源；N个所述差分电路的另一输入端和输出端首尾相接构成环形电路；

所述差分电路包括：电平翻转电路、充放电控制电路以及输出控制电路；

所述电平翻转电路用于根据第一电压源的电压与充放电控制电路的节点电压的比较结果产生调节所述输出控制电路的输入控制信号；

所述充放电控制电路用于根据上一级的输出信号控制电容的充放电以调整充放电控制电路的节点电压；

所述输出控制电路用于根据所述电平翻转电路的输出信号以及上一级的输出信号产生控制下一级的输出控制信号。

2.根据权利要求1所述的环形振荡器，其特征在于，所述电平翻转电路包括：一电压比较器；所述电压比较器的一输入端连接所述第一电压源；所述电压比较器的另一输入端连接所述充放电控制电路的节点电压；所述电压比较器的输出端连接所述输出控制电路的一输入端。

3.根据权利要求1所述的环形振荡器，其特征在于，所述充放电控制电路包括：第二电压源、第一受控开关、第二受控开关以及电容；所述第一受控开关与所述第二受控开关串联后接入所述第二电压源；所述电容并联在所述第二受控开关的两端；所述第一受控开关与所述第二受控开关的受控端均连接上一级的输出信号；所述第一受控开关与所述第二受控开关状态为互斥状态；当上一级的输出信号为第一状态时，所述第一受控开关导通，所述第二受控开关断开；第二电压源对所述电容进行充电；当上一级的输出信号为第二状态时，所述第一受控开关断开，所述第二受控开关导通；所述电容对地进行放电。

4.根据权利要求3所述的环形振荡器，其特征在于，所述第一受控开关和所述第二受控开关分别选用PMOS管和NMOS管。

5.根据权利要求4所述的环形振荡器，其特征在于，所述PMOS管的源极连接所述第二电压源，所述PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极均连接上一级的输出信号；所述PMOS管的漏极与所述NMOS管的漏极均连接所述电容的一端；所述电容的另一端接地；所述NMOS管的源极接地。

6.根据权利要求1所述的环形振荡器，其特征在于，所述输出控制电路包括：第二电压源、第三受控开关、第四受控开关及第五受控开关；所述第三受控开关、所述第四受控开关及所述第五受控开关依次串联后接入所述第二电压源；所述第三受控开关与所述第五受控开关的受控端均连接上一级的输出信号；所述第四受控开关与所述电平翻转电路的输出端连接；当上一级的输出信号为第一状态时，所述第三受控开关导通，所述第五受控开关断开；当上一级的输出信号为第二状态时，所述第三受控开关断开，所述第五受控开关导通；当电平翻转电路的输出信号和当上一级的输出信号均为第二状态时，所述第四受控开关导通。

7.根据权利要求6所述的环形振荡器，其特征在于，所述第三受控开关选用PMOS管；所述第四受控开关和所述第五受控开关均选用NMOS管。

8.根据权利要求7所述的环形振荡器，其特征在于，所述PMOS管的源极连接所述第二电压源，所述PMOS管的栅极和作为第五受控开关的NMOS管的栅极均连接上一级的输出信号；作为第四受控开关的NMOS管的栅极连接所述电平翻转电路的输出端；所述PMOS管的漏极与作为第四受控开关的NMOS管的漏极连接并作为所述输出控制电路的输出端；作为第四受控开关的NMOS管的源极与作为第五受控开关的NMOS管的漏极连接；作为第五受控开关的NMOS管的源极接地。

9.根据权利要求1所述的环形振荡器，其特征在于，所述第一电压源的电压可调。

10.根据权利要求3所述的环形振荡器，其特征在于，所述第一状态为低电平状态；所述第二状态为高电平状态。