[发明专利]处理装置和处理方法在审
| 申请号: | 202111289390.5 | 申请日: | 2021-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN114464551A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 泽地淳;小笠原幸辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种处理装置,对基板进行处理,所述处理装置具有:
多个处理室,在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理;
多个罐单元,所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置,所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐;以及
气体箱,其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。
2.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,
在所述罐单元设置有至少三个所述罐。
3.根据权利要求1或2所述的处理装置,其特征在于,
设置有多个所述气体箱,
各个所述气体箱与至少两个以上的所述处理室连接。
4.根据权利要求3所述的处理装置,其特征在于,
还具有连接配管,所述连接配管将多个所述气体箱之间连接,
在所述连接配管形成有用于吸收刚性的缓冲部。
5.一种处理方法,是处理装置中的基板的处理方法,
所述处理装置具备:
处理室,其在期望的处理气体的气氛下处理所述基板;
罐单元,其具备用于临时储存所述处理气体的多个罐;以及
气体箱,其经由所述罐单元向所述处理室供给所述处理气体,
所述处理方法同时进行以下工序:
工序(A),从第一罐向所述处理室供给处理气体来进行所述基板的处理;以及
工序(B),从所述气体箱向第二罐供给处理气体来将处理气体填充到所述第二罐。
6.根据权利要求5所述的处理方法,其特征在于,
填充处理气体的所述工序(B)包括以下工序:
工序(a),将设置在所述第二罐的下游侧的阀打开来流通处理气体,并使来自所述气体箱的处理气体的分压稳定;以及
工序(b),将所述阀关闭来将处理气体填充到所述第二罐。
7.根据权利要求5或6所述的处理方法,其特征在于,
所述处理气体是将多种气体混合后的混合气体,
在填充处理气体的所述工序(B)中,保持所述混合气体的流量比率并以大流量进行向所述第二罐的处理气体的填充。
8.根据权利要求5~7中的任一项所述的处理方法,其特征在于,
还包括工序(C),在该工序(C)中,将残留在第三罐的内部的处理气体进行排气,
排出处理气体的所述工序(C)与进行基板的处理的所述工序(A)及填充处理气体的所述工序(B)同时进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





