[发明专利]太阳能电池单元的电极形成方法

权利要求书

1.一种太阳能电池单元的电极形成方法，所述方法通过对在单面或两面具备钝化膜的硅半导体基板的所述钝化膜进行烧穿，从而形成与所述硅半导体基板进行电接触的电极，所述方法的特征在于，其具有以下工序：

(1)在所述钝化膜的表面上将铝糊料A涂布为图案状的工序1，其中，所述铝糊料A相对于100质量份的铝含有10质量份以上40质量份以下的硅，且对所述钝化膜不具有烧穿性；

(2)在工序1中未涂布所述铝糊料A的部分涂布铝糊料B的工序2，其中，所述铝糊料B相对于100质量份的铝含有0质量份以上15质量份以下的硅，且对所述钝化膜具有烧穿性，

所述硅的含量是指在各糊料中以硅粉末和/或铝-硅合金粉末的形式含有的所述硅的含量。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的电极形成方法，其进一步具有以660℃以上1000℃以下的温度对涂布有所述铝糊料A及所述铝糊料B的所述硅半导体基板进行烧成的工序3。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的电极形成方法，其中，所述铝糊料A及所述铝糊料B分别含有有机载体及玻璃粉末。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池单元的电极形成方法，其中，所述铝糊料A不含铅类玻璃粉末及铋类玻璃粉末作为所述玻璃粉末，所述铝糊料B含有铅类玻璃粉末及铋类玻璃粉末中的至少一种作为所述玻璃粉末。