[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置在审
| 申请号： | 202111285522.7 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114361180A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 三宅博之;冈崎健一;保坂泰靖;岛行德 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 显示装置 | ||
1.一种半导体装置，包括像素，所述像素包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括：
第一半导体膜，所述第一半导体膜包括第一沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第一栅电极；以及
与所述第一半导体膜接触的第一源电极和第一漏电极；
第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第二半导体膜，所述第二半导体膜包括第二沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第二栅电极；以及
与所述第二半导体膜接触的第二源电极和第二漏电极；以及
发光元件，所述发光元件的第一电极电连接到所述第二源电极和所述第二漏电极之一，
其中，所述第二半导体膜设置在所述第一源电极和所述第一漏电极上，
所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域彼此不重叠，
并且，所述第一半导体膜与所述第二半导体膜是成分彼此不同的膜。
2.一种半导体装置，包括像素，所述像素包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括：
第一半导体膜，所述第一半导体膜包括第一沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第一栅电极；以及
与所述第一半导体膜接触的第一源电极和第一漏电极；
第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第二半导体膜，所述第二半导体膜包括第二沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第二栅电极；以及
与所述第二半导体膜接触的第二源电极和第二漏电极；以及
发光元件，所述发光元件的第一电极电连接到所述第二源电极和所述第二漏电极之一，
其中，所述第二半导体膜设置在所述第一源电极和所述第一漏电极上，
所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域彼此不重叠，
并且，所述第二半导体膜包含In、Ga和Zn。
3.一种半导体装置，包括像素，所述像素包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括：
第一半导体膜，所述第一半导体膜包括第一沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第一栅电极；以及
与所述第一半导体膜接触的第一源电极和第一漏电极；
第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第二半导体膜，所述第二半导体膜包括第二沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第二栅电极；以及
与所述第二半导体膜接触的第二源电极和第二漏电极；以及
发光元件，所述发光元件的第一电极电连接到所述第二源电极和所述第二漏电极之一，
其中，所述第二半导体膜设置在所述第一源电极和所述第一漏电极上，
所述第二晶体管进一步包括与所述第二栅电极重叠的第三栅电极，所述第二半导体膜设置在所述第二栅电极与所述第三栅电极之间，
所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域彼此不重叠，
并且，所述第一半导体膜与所述第二半导体膜是成分彼此不同的膜。
4.一种半导体装置，包括像素，所述像素包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括：
第一半导体膜，所述第一半导体膜包括第一沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第一栅电极；以及
与所述第一半导体膜接触的第一源电极和第一漏电极；
第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第二半导体膜，所述第二半导体膜包括第二沟道形成区域；
所述第一半导体膜上的第二栅电极；以及
与所述第二半导体膜接触的第二源电极和第二漏电极；以及
发光元件，所述发光元件的第一电极电连接到所述第二源电极和所述第二漏电极之一，
其中，所述第二半导体膜设置在所述第一源电极和所述第一漏电极上，
所述第二晶体管进一步包括与所述第二栅电极重叠的第三栅电极，所述第二半导体膜设置在所述第二栅电极与所述第三栅电极之间，
所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域彼此不重叠，
并且，所述第二半导体膜包含In、Ga和Zn。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，进一步包括电容器，
其中，所述电容器的第一电极电连接到所述发光元件的第一电极。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
