[发明专利]片式固体电解质钽电容器的制备方法在审
| 申请号: | 202111283666.9 | 申请日: | 2021-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN114360911A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
| 发明(设计)人: | 商修;刘佳;季翔宇;张登伟 | 申请(专利权)人: | 北京七一八友益电子有限责任公司 |
| 主分类号: | H01G9/00 | 分类号: | H01G9/00;H01G9/07;H01G9/15 |
| 代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;付久春 |
| 地址: | 100016 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 电解质 钽电容 制备 方法 | ||
1.一种片式固体电解质钽电容器的制备方法,其特征在于,包括:
将压制好的钽坯烧结成钽块;
将所述钽块在沸水下煮洗30min;
以磷酸、乙二醇、去离子水和弱酸组分组成的混合溶液作为赋能溶液,将所述钽块放入所述赋能溶液中按以下步骤进行赋能,包括:
步骤21)使所述赋能溶液在室温下,采用恒流升压或恒功率升压方式将赋能电压升压至预定赋能电压的1.3倍,然后恒压保持1h~5h;
步骤22)将所述赋能溶液升至高温,按预定赋能电压恒压保持2h~10h;
步骤23)对所述步骤22得到的所述钽块在300℃~500℃温度下进行热处理,热处理时间为10min~30min,热处理后的钽块在原赋能溶液和预定赋能电压下恒压1~4h,得到赋能后的阳极钽块;
对赋能后的所述阳极钽块进行湿式检测漏电流,检测漏通过后,对所述阳极钽块进行阴极处理形成由阴极层包覆阳极钽块的结构体;
对所述阴极层包覆阳极钽块的结构体涂覆缓冲层,在所述缓冲层外再涂覆阴极引出银浆层,经封装后即制成片式固体电解质钽电容器。
2.根据权利要求1所述的片式固体电解质钽电容器的制备方法,其特征在于,所述方法中,压制好的钽坯是:选择与制成电容电压对应比容Bs的钽粉加入樟脑混合均匀形成混合粉,待所述混合粉干燥后,压制成对应尺寸的钽坯,其中,所述樟脑为樟脑粉与无水乙醇的混合物;
通过以下三段式烧结将压制好的钽坯烧结成钽块,包括:
第一段烧结是由室温升至1000℃进行烧结,升温速度为20℃/min~100℃/min;
第二段烧结是由1000~1450℃进行烧结,升温速度为20℃/min~100℃/min;
第三段烧结是在1500℃至1800℃之间的任一温度恒温烧结20~40min;
经上述烧结后,由1500℃至1800℃之间的任一温度降至400℃,保温20~60min,然后继续冷却至室温,逐渐通入空气进行钝化,钝化时间为2~12小时。
3.根据权利要求2所述的片式固体电解质钽电容器的制备方法,其特征在于,所述三段式烧结中,第一段烧结的升温速度为20℃/min;
第二段烧结的升温速度为40℃/min;
第三段烧结温度优选为:1550℃、1600℃、1650℃、1700℃、1800℃中的任一温度;
由1500℃至1800℃之间的任一温度降至400℃中的烧结温度优选为:1550℃、1600℃、1650℃、1700℃、1800℃中的任一温度。
4.根据权利要求1至3任一项所述的片式固体电解质钽电容器的制备方法,其特征在于,所述方法的赋能处理中,预定赋能电压Uf通过公式Uf=K×Bs×M/C额计算得出,K是根据烧结收缩率及压制密度确定的比例系数;
所述步骤21中,室温为10℃~45℃;
所述步骤22中,高温为55℃~95℃。
5.根据权利要求1至3任一项所述的片式固体电解质钽电容器的制备方法,其特征在于,所述赋能溶液中,所述磷酸占该赋能溶液总体积的0.1%~2%;
所述乙二醇占该赋能溶液总体积的9%~90%;
所述去离子水占该赋能溶液总体积的9%~90%;
所述弱酸组分占该赋能溶液总体积的0.01%~1%。
6.根据权利要求5所述的片式固体电解质钽电容器的制备方法,其特征在于,所述弱酸组分采用弱酸或弱酸盐,或弱酸和弱酸盐的混合物。
7.根据权利要求4所述的片式固体电解质钽电容器的制备方法,其特征在于,所述弱酸采用柠檬酸、硼酸、醋酸中的任一种;
所述弱酸盐采用磷酸盐、硼酸盐、醋酸钠中的任一种;
所述弱酸和弱酸盐的混合物为:柠檬酸、硼酸、醋酸、磷酸盐、硼酸盐、醋酸钠中的任意两种或几种的混合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七一八友益电子有限责任公司,未经北京七一八友益电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111283666.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高通量的反渗透膜的制备方法
- 下一篇:一种大米精加工工艺





