[发明专利]在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法

权利要求书

1.一种在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1，以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构Zn/Cd/Si；

步骤2，将纳米结构Zn/Cd/Si在乙二醇溶液中与Se直接反应，制备出ZnSe/CdSe/Si异质结。

2.根据权利要求1所述的在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，其特征在于，所述步骤1的具体实现过程如下：

步骤11，将切割好的硅片放入磁控溅射室的样品支架上，对磁控溅射室抽真空到10^-6Pa，然后向磁控溅射室充入氩气，保持溅射室真空度为10^-1-50Pa；

步骤12，调整Cd靶材与硅片间的距离为5.0cm，将样品支架加热到100℃，保持5min，使样品支架上的硅片受热均匀；

步骤13，设置溅射功率为5-80 W，打开Cd靶材的挡板，开始溅射，溅射时间为0-60s，制备纳米结构Cd/Si；

步骤14，将纳米结构Cd/Si移动至Zn靶材处，保持距离为5.0cm；

步骤15，设置溅射功率为5-80 W，打开Zn靶材的挡板，开始溅射，溅射时间为30-240s，制备纳米结构Zn/Cd/Si；

步骤16，保持磁控溅射室内压强不变，自然冷却至室温。

3.根据权利要求2所述的在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，其特征在于，所述溅射室真空度为5.0Pa；所述溅射功率均为5W；对Cd靶材的溅射时间为60s，对Zn靶材的溅射时间为240s。

4.根据权利要求1所述的在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，其特征在于，所述步骤2的具体实现过程如下：

步骤21，将Se粉溶于乙二胺溶液，并移入水热釜中，保持填充度为50%-90%；

步骤22，将纳米结构Zn/Cd/Si置于Se和乙二胺的混合溶液中；

步骤23，将水热釜放入恒温箱中，保持箱内温度80-230℃，腐蚀时间30-240min；

步骤24，将水热釜从恒温箱中取出，自然冷却至室温，得到CdSe纳米薄膜层嵌入ZnSe/Si异质结，即ZnSe/CdSe/Si异质结。

5.根据权利要求4所述的在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，其特征在于，所述填充度为70%；所述箱内温度为180℃；所述腐蚀时间为120 min。