[发明专利]一种基于变频晶体换点的激光调控方法及存储介质在审

专利信息
申请号: 202111278282.8 申请日: 2021-10-30
公开(公告)号: CN114094430A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 陈鲁;丁闯;方一;黄有为;张嵩 申请(专利权)人: 深圳中科飞测科技股份有限公司
主分类号: H01S3/109 分类号: H01S3/109;H01S3/137
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 刘志海;彭家恩
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 变频 晶体 激光 调控 方法 存储 介质
【说明书】:

一种基于变频晶体换点的激光调控方法,包括控制所述变频晶体在预设平面坐标系中移动,以切换所述变频晶体用以接收基频光的工作点位;控制基频光经变频晶体当前的工作点位进入变频晶体,以使基频光转换为倍频光输出;检测所述变频晶体输出的倍频光的指标信息,并得到第一指标信息;判断所述第一指标信息是否达到第一预设要求,若所述第一指标信息未达到第一预设要求,则调节所述变频晶体的温度,直至所述第一指标信息达到第一预设要求时停止。通过对换点后的倍频光进行性能优化调控,能够获得性能稳定的激光光束,从而满足精密检测测量、精密加工等领域需求。

技术领域

发明涉及激光技术领域,具体涉及一种基于变频晶体换点的激光调控方法及存储介质。

背景技术

紫外激光器因其所具有的波长短、光斑小、聚集性好、峰值功率高等优点被广泛应用于工业、医疗、军事、探测、科学研究等领域。为了能够获得高功率的激光,通常会借助激光器中的变频晶体材料(即:变频晶体或倍频晶体)对激光波长进行变频处理,如将532nm光变频产生266nm光。受紫外激光波长较短、倍频晶体材料自身缺陷、所在光路位置等因素的影响,倍频晶体在长期运行时极易受到损伤,致使倍频晶体出现坏点,而坏点的出现则会导致激光质量变差、激光器使用寿命缩短等。

鉴于,被激光光束破坏的面积(或者坏点的面积)仅占倍频晶体的截面面积的一小部分,现有技术中通常会对倍频晶体进行换点处理,以期使倍频晶体或激光器能够满足长时间稳定运行应用的要求。然而,换点后往往会伴随着光束质量和光束功率的改变,就精密检测测量、精密加工等对光束要求甚高的领域而言,这会直接影响到检测或加工的精度、激光器或设备应用的稳定性。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种基于倍频晶体换点的激光调控方法以及计算机可读存储介质,以降低换点对光束带来的影响。

根据第一方面,一种实施例中提供一种基于变频晶体换点的激光调控方法,包括:

换点步骤,控制所述变频晶体在预设平面坐标系中移动,以切换所述变频晶体用以接收基频光的工作点位;

变频步骤,控制基频光经变频晶体当前的工作点位进入变频晶体,以使基频光转换为倍频光输出;

倍频光检测步骤,检测所述变频晶体输出的倍频光的指标信息,并得到第一指标信息;

调控步骤,判断所述第一指标信息是否达到第一预设要求,若所述第一指标信息未达到第一预设要求,则调节所述变频晶体的温度,直至所述第一指标信息达到第一预设要求时停止。

一个实施例中,所述第一指标信息包括倍频光的质量信息和功率信息,所述第一预设要求包括第一预设质量要求和第一预设功率要求,所述调控步骤包括:

判断所述倍频光的质量信息和功率信息是否达到第一预设要求,若所述倍频光的质量信息未达到第一预设质量要求和/或功率信息未达到第一预设功率要求,则调节所述变频晶体的温度,直至所述倍频光的质量信息达到第一预设质量要求以及功率信息达到第一预设功率要求。

一个实施例中,所述调控步骤包括:

若所述第一指标信息未达到第一预设要求,则在预设周期内调节所述变频晶体的温度,直至所述第一指标信息达到第一预设要求;

若所述第一指标信息在预设周期后仍未达到第一预设要求,则执行所述换点步骤。

一个实施例中,还包括基频光检测步骤,所述基频光检测步骤包括:

检测所述基频光的指标信息,并得到第二指标信息;

判断所述第二指标信息是否达到第二预设要求,若所述第二指标信息未达到第二预设要求,则关闭所述基频光输出。

一个实施例中,所述第二指标信息包括基频光的质量信息和功率信息,所述第二预设要求包括第二预设质量要求和第二预设功率要求,所述判断所述第二指标信息是否达到第二预设要求,若所述第二指标信息未达到第二预设要求,则关闭所述基频光输出,包括:

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