[发明专利]一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片有效
| 申请号： | 202111277255.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113894623B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 唐林锋;宋向荣;马金峰;周铁军;刘火阳;廖和杰 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张柳 |
| 地址： | 511500 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锑化镓 晶片 单面 抛光 方法 | ||
1.一种锑化镓晶片的单面抛光方法，包括以下步骤：
A）采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛；
所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、双氧水、柠檬酸钠、焦磷酸钠和水；所述粗抛试剂中，硅溶胶抛光液的含量为100~200 mL/L，双氧水的含量为50~100 mL/L，柠檬酸钠的含量为300~600 g/L，焦磷酸钠的含量为300~600 g/L；
B）将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行单面精抛，得到锑化镓抛光片；
所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、双氧水和水；
所述精抛试剂中，硅溶胶抛光液的含量为50~500 mL/L，双氧水的含量为100~200 mL/L。
2.根据权利要求1所述的单面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛前，还包括：
将锑化镓晶片进行研磨腐蚀后，并按照厚度差≤10 µm进行分组。
3.根据权利要求1所述的单面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，所述硅溶胶抛光液中，硅溶胶的粒径为100~200 nm；
所述硅溶胶抛光液的pH值为8~13。
4.根据权利要求1所述的单面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，所述单面粗抛的压力为800~1500 N，转速为15~50 rpm，流量为1000~2000 mL/min；
所述单面粗抛的时间为8~10 min。
5.根据权利要求1所述的单面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，所述单面粗抛采用无纺布抛光垫；
所述单面粗抛在9B单面抛光机中进行。
6.根据权利要求1所述的单面抛光方法，其特征在于，步骤B）中，所述硅溶胶抛光液中，硅溶胶的粒径为20~100 nm；
所述硅溶胶抛光液的pH值为8~13。
7.根据权利要求1所述的单面抛光方法，其特征在于，步骤B）中，所述单面精抛的压力为800~1000 N，转速为30~40 rpm，流量为700~1500 mL/min；
所述单面精抛的时间为5~7 min；
所述单面精抛采用阻尼布抛光垫；
所述单面精抛在9B单面抛光机中进行。
8.权利要求1~7任意一项所述的单面抛光方法制备得到的锑化镓抛光片。
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