[发明专利]势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器

权利要求书

1.势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，其特征在于，包括：P型第一长波吸收层、外延于所述P型第一长波吸收层上的P型空穴势垒层，以及外延于所述P型空穴势垒层上的P型第二长波吸收层；

所述P型第一长波吸收层以及所述P型第二长波吸收层分别与所述P型空穴势垒层形成同型掺杂异质结。

2.根据权利要求1所述的势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，其特征在于，还包括：衬底、缓冲层、P型第一欧姆接触层、P型第二欧姆接触层、第一电极以及第二电极；

所述缓冲层外延生长于所述衬底之上，所述P型第一欧姆接触层外延生长于所述缓冲层上，所述P型第一长波吸收层外延生长于所述P型第一欧姆接触层上，所述P型第二欧姆接触层外延生长于所述P型第二长波吸收层上；

所述第一电极设于所述P型第一欧姆接触层上未被所述P型第一长波吸收层所覆盖的台面上，所述第二电极设于所述P型第二欧姆接触层之上。

3.根据权利要求2所述的势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，其特征在于，所述P型第一长波吸收层厚度为0.5～3μm，由InAs/GaSb超晶格组成，每周期由12-16ML InAs和4-10ML GaSb构成，Be的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～5×10¹⁵cm^-3且不低于所述P型空穴势垒层中Be的掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，其特征在于，所述P型空穴势垒层厚度为100nm-200nm，由InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶格组成，每周期由16-22ML InAs、3-5ML GaSb、4-6ML AlSb、3-5ML GaSb构成，Be的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～5×10¹⁵cm^-3。

5.根据权利要求4所述的势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，其特征在于，所述P型第二长波吸收层厚度为0.5-3μm，由InAs/GaSb超晶格组成，每周期由12-16ML InAs和4-10ML GaSb构成，Be的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁶cm^-3且不低于所述P型空穴势垒层中Be的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，其特征在于，

所述P型第一欧姆接触层为在GaSb中掺杂Be形成，Be的掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3～2×10¹⁸cm^-3，与所述第一电极形成欧姆接触；

所述P型第二欧姆接触层为在InAs中掺杂Be形成，Be掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3～2×10¹⁸cm^-3，与所述第二电极形成欧姆接触。